Полухин Иван Сергеевич
![]() |
Ведущий инженер
|
Краткие биографические данные: |
|
Основные научные интересы: |
Трудно представить современную физику твердого тела без полупроводниковых лазеров. Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур, квантовых ям, квантовых нитей и квантовых точек, являются сегодня предметом исследований большого числа исследовательских групп в области физики полупроводников. Их широкое использование в телекоммуникационных системах, спектроскопии, экологическом мониторинге, медицине определяет актуальность исследования процессов рекомбинации и разогрева носителей заряда в квантовых ямах. Для оптимизации параметров полупроводниковых лазеров важно понять, какие процессы влияют на время жизни и рекомбинацию неравновесных носителей заряда. Кроме этого, исследование указанных процессов интересно и с физической точки зрения: оно расширяет наши знания о физике наноматериалов, процессах взаимодействия фононной и электронной систем в условиях размерного квантования. |
Текущие научные проекты: |
Создание новых источников излучения терагерцового диапазона – актуальная задача полупроводниковой оптоэлектроники. Для практических применений наиболее удобны источники излучения с электрическим возбуждением. В связи с этим ставится задача исследования различных механизмов эмиссии терагерцового излучения из полупроводниковых микро- и наноструктур в электрическом поле. Одним из перспективных направлений в этой области является использование оптических переходов горячих (неравновесных) электронов между примесными состояниями в полупроводниках. |
Избранные публикации: |
|
Профиль в базах цитирований научных статей: |
|
Участие в конференциях: |
|
Контакты: |
195251, Санкт-Петербург, Политехническая 29, |