Полухин Иван Сергеевич

  

Ведущий инженер

 

Краткие биографические данные:
  • В 2009 году окончил Санкт-Петербургский государственный политехнический университет - магистр техники и технологии.

Основные научные интересы:
  • Оптические явления и неравновесные носители заряда в полупроводниках и наноструктурах
  • Разработка новых оптоэлектронных приборов (источников и детекторов излучения) среднего инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра

Трудно представить современную физику твердого тела без полупроводниковых лазеров. Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур, квантовых ям, квантовых нитей и квантовых точек, являются сегодня предметом исследований большого числа исследовательских групп в области физики полупроводников. Их широкое использование в телекоммуникационных системах, спектроскопии, экологическом мониторинге, медицине определяет актуальность исследования процессов рекомбинации и разогрева носителей заряда в квантовых ямах. Для оптимизации параметров полупроводниковых лазеров важно понять, какие процессы влияют на время жизни и рекомбинацию неравновесных носителей заряда. Кроме этого, исследование указанных процессов интересно и с физической точки зрения: оно расширяет наши знания о физике наноматериалов, процессах взаимодействия фононной и электронной систем в условиях размерного квантования.

Текущие научные проекты:

 Создание новых источников излучения терагерцового диапазона – актуальная задача полупроводниковой оптоэлектроники. Для практических применений наиболее удобны источники излучения с электрическим возбуждением. В связи с этим ставится задача исследования различных механизмов эмиссии терагерцового излучения из полупроводниковых микро- и наноструктур в электрическом поле. Одним из перспективных направлений в этой области является использование оптических переходов горячих (неравновесных) электронов между примесными состояниями в полупроводниках.

Избранные публикации:

 

  1. Mikhailovskii, G. A., Polukhin, I. S., Rybalko, D. A., Solov’ev, Y. V., & Odnoblyudov, M. A. Determination of topological parameters of a laser with passive mode-locking on the basis of InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures., Technical Physics Letters, 42(5), 471-474 (2016)

  2. Yagunov, A.P., Gavrikova, T.A., Zykov, V.A., Polukhin, I.S. Si/Znx Cd1-x Te heterostructures with different Zn contents: Growth, electrical and photoelectrical properties, Journal of Physics: Conference Series 690(1),012019 (2016)

    3. .

 

 

 

Профиль в базах цитирований научных статей:

Elibrary

Scopus

Участие в конференциях:

  • IX, XI– XVI Всероссийские молодежные конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург 2007, 2009 – 2014)
  • IX, X, XII Российские конференции по физике полупроводников (Новосибирск - Томск 2009, Нижний Новгород 2011, Зеленоград 2015)
  • XXXVI – XLIII недели науки СПбГПУ (Санкт-Петербург 2007 – 2014)
  • 2, 3 Российские Симпозиумы "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" (Санкт-Петербург 2010, 2012)

  • 16th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (Montpellier 2009)
  • 18th – 21th International Symposium ”Nanostructures: Physics and Technology” (St. Petersburg 2010, 2013, 2015, Ekaterinburg 2011, Nizhny Novgorod 2012)
  • 1st – 2nd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint-Petersburg OPEN (St. Petersburg 2014, 2015)
  • 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (Zurich, Switzerland 2012).
  • XII, XIV – XIX Международные симпозиумы "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород 2008, 2010 – 2015).

Контакты:

 

195251, Санкт-Петербург, Политехническая 29,
2-й учебный корпус, помещение 210.
Телефон: (812) 552-9671
Факс: (812) 533-47-17
Эл. почта: Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Дополнительная информация