Неделя науки СПбПУ 2016
В период с 14 по 19 ноября 2016 г. состоялся Научный форум с международным участием « XLV НЕДЕЛЯ НАУКИ СПбПУ ».
Пленарное заседание секции "Физика полупроводников и наноэлектроника" в рамках «XLV НЕДЕЛЯ НАУКИ СПбПУ»
Время проведения: 18 ноября, 14-00 - 17-00 Место: учебный корпус № 2 , ауд. 209 (см. карту кампуса университета) или (см. как пройти на кафедру ФПиНЭ)
Председатель – ст. преп. В.Ю. Паневин
Секретарь – инж. И.С. Полухин
Научный руководитель – д.ф.-м.н., проф. Д.А. Фирсов
Временной регламент: 10 мин на доклад.
Научная программа пленарного заседания:
1. Равновесные спектры отражения и пропускания наноструктур GaN/AlGaN/Al2O3 в терагерцовом диапазоне частот А.А. Артемьев, студ. 4 к. (научн. руковод. – д.ф.-м.н., проф. В.А. Шалыгин), А.И. Галимов, А.С. Милентьев, М.Д. Молдавская, СПбПУ
2. Переход донор-зона проводимости в квантовой яме GaAs Г.Р. Балахтарь, студ. 5 к., СПбПУ (научн. руковод. – проф. А.А. Костанян, РА(С)У, Армения)
3. Латеральная электропроводность гетероперехода GaN/AlGaN в сильных электрических полях А.И. Галимов, студ. 5 к. (научн. руковод. – д.ф.-м.н., проф. В.А. Шалыгин), Е.Ю. Орлов, М.Д. Молдавская, СПбПУ
4. Поведение коэффициента Нернста-Эттингсгаузена в манганитах различных систем М.В. Фетисова, студ. 5 к. (научн. руковод. – д.ф.-м.н. В.Э. Гасумянц), О.А. Мартынова, СПбПУ
5. Распределение носителей заряда в квантовых точках Ge/Si с неоднородным уширением спектра поглощения Д.А. Пашнев, студ. 4 к., (научн. руковод. – к.ф.-м.н., доц. А.Н. Софронов), Р.М. Балагула, СПбПУ
6. Численное моделирование параметров лазера с пассивной синхронизацией мод на структурах с пониженной размерностью для оптимизации дизайна Д.А. Рыбалко, асп. 2 г. (научн. руковод. – к. ф.-м.н., М.А. Одноблюдов), И.С. Полухин, Ю.В. Соловьев, Г.А. Михайловский, СПбПУ
7. Влияние оже-рекомбинации на концентрацию и разогрев носителей заряда в структурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb А.А. Сорокина, студ. 4 к. (научн. руковод. – к.ф.-м.н., ст.преп. М.Я. Винниченко) И.С. Махов, СПбПУ
8. Поглощение терагерцового излучения свободными электронами в эпитаксиальных слоях GaN в электрическом поле К.К. Юрков, студ. 5 к. (научн. руковод. – асп. Р.М. Балагула), М.Я. Винниченко, СПбПУ