В 2006 году окончил Санкт-Петербургский государственный политехнический университет – магистр техники и технологии.
Кандидат физ.-мат. наук (2010).
Основные научные интересы
Оптические явления и неравновесные носители заряда в полупроводниках и наноструктурах.
Текущие научные проекты
Направление научных исследований: "Оптика неравновесных электронов".
Создание новых источников излучения терагерцового диапазона – актуальная задача полупроводниковой оптоэлектроники. Для практических применений наиболее удобны источники излучения с электрическим возбуждением. В связи с этим ставится задача исследования различных механизмов эмиссии терагерцового излучения из полупроводниковых микро- и наноструктур в электрическом поле. Одним из перспективных направлений в этой области является использование оптических переходов горячих (неравновесных) электронов между примесными состояниями в полупроводниках.
Sofronov, A.N., Vorobjev, L.E., Firsov, D.A., Balagula, R.M., Tonkikh, A.A. Temperature depopulation of the GeSi/Si quantum dots with non-equilibrium charge carriers. Superlattices and Microstructures, 107, pp. 228-233 (2017).
I.S. Makhov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, M.Ya. Vinnichenko, A.P. Vasil'ev, N.A. Maleev The effect of stimulated interband emission on the impurity-assisted far-infrared photoluminescence in GaAs/AlGaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures 112 79-85 (2017).
Sofronov A. N., Vorobjev L. E., Firsov D. A., Panevin V. Y., Balagula R. M., Werner P., Tonkikh A. A.. Photoinduced mid-infrared intraband light absorption and photoconductivity in Ge/Si quantum dots. Superlattices and Microstructures, 87, 53-57 (2015).
Д.А.Фирсов, Л.Е.Воробьев, В.Ю.Паневин, А.Н.Софронов, Р.М.Балагула, И.С.Махов, Д.В.Козлов, А.П.Васильев. Терагерцовое излучение, связанное с примесными переходами электронов в квантовых ямах при оптической и электрической накачке. Физика и техника полупроводников 49, вып. 1, 30-34 (2015).
L.E.Vorobjev, D.A.Firsov, V.Yu.Panevin, A.N.Sofronov, R.M.Balagula, A.A.Tonkikh. Mid-infrared light absorption by photo-excited charge carri-ers in Ge/Si quantum dots. J. Phys.: Conf. Ser. 586 012001 (2015).
Firsov D.A., Vorobjev L.E., Panevin V.Y., Sofronov A.N., Balagula R.M., Kozlov D.V.. Impurity-related terahertz emission from quantum well nanostructures. Lithuanian Journal of Physics 54, Iss. 1, 46-49 (2014).
В.Ю.Паневин, А.Н.Софронов, Л.Е.Воробьев, Д.А.Фирсов, В.А.Шалыгин, М.Я.Винниченко, Р.М.Балагула, А.А.Тонких, P.WernerB.Fuhrman, G.Schmidt. Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si. Физика и техника полупроводников 47, вып. 12, 1599-1603 (2013)
Воробьев Л., Софронов А., Фирсов Д., Демидов Д., Леус Р., Свердлов М., Тер-Мартиросян А.Л. Лазерные диоды для фотодинамической терапии. Фотоника. 2012. Т. 31. № 1. С. 20-23
V.A.Shalygin, L.E.Vorobjev, D.A.Firsov, A.N.Sofronov, G.A.Melentyev, W.V.Lundin, A.E.Nikolaev, A.V.Sakharov, A.F.Tsatsulnikov. Blackbody-like emission of terahertz radiation from AlGaN/GaN heterostructure under electron heating inlateral electric field. Journ. ofAppl. Phys. 109, 073108 (2011)
T.V.Shubina, A.V.Andrianov, A.O.Zakhar’in, V.N. Jmerik, I.P.Soshnikov, T.A.Komissarova, A.A.Usikova, PS.Kop’ev, S.V.Ivanov, V.A.Shalygin, A.N.Sofronov, D.A.Firsov, L.E.Vorob’ev, N.A.Gippius, J.Leymarie, X.Wang, AkihikoYoshikawa. Terahertz electroluminescence of surface plasmons from nanostructured InN layers. Applied Physics Letters, v. 96, 183106 (2010).
Д.А.Фирсов, В.А.Шалыгин, В.Ю.Паневин, Г.А.Мелентьев, А.Н.Софронов, Л.Е.Воробьев, А.В.Андрианов, А.О.Захарьин, В.С.Михрин, А.П.Васильев, А.Е.Жуков, Л.В.Гавриленко, В.И.Гавриленко, А.В.Антонов, В.Я.Алешкин. Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs n-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний. "Наука", ФТП 44(11), 1443-1446 (2010).
V.A.Shalygin, L.E.Vorobjev, D.A.Firsov, V.Yu.Panevin, A.N.Sofronov, G.A.Melentyev, A.V.Antonov, V.I.Gavrilenko, A.V.Andrianov, A.O.Zakharyin, S.Suihkonen, P.T.Törma, M.Ali, H.Lipsanen. Impurity breakdown and terahertz luminescence in n-GaN epilayers under external electric field. Journ. of Appl. Phys. 106, 123523 (2009)
V.A.Shalygin, L.E.Vorobjev, D.A.Firsov, V.Yu.Panevin, A.N.Sofronov, A.V.Andrianov, A.O.Zakhar'in, A.Yu.Egorov, A.G.Gladyshev, O.V.Bondarenko, V.M.Ustinov, N.N.Zinov'ev, D.V.Kozlov. Terahertz luminescence in strained GaAsN:Be layers under strong electric fields. Applied Physics Letters, v. 90, Iss. 16, 161128 (2007).
195251, Санкт-Петербург, Политехническая 29, 2-й учебный корпус, помещение 210, 217. Телефон: (812) 552-9671 Факс: (812) 552-9516 e-mail:
Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
