Сотрудники
Прошина Ольга Владимировна
|
Доцент, кандидат физико-математических наук
|
Краткие биографические данные |
|
Основные научные интересы |
Оптические свойства наноструктур В последние годы постоянно расширяется круг материалов, используемых для изготовления твердотельных наноструктур. Этот процесс обусловлен как развитием технологии, так и практическими потребностями получения структур с новыми свойствами. Особый интерес представляют собой квантово-размерные структуры, изготовленные с использованием материалов с высокой степенью ионности. В таких структурах часто реализуется условие для возникновения сильного электрон-фононного взаимодействия. Это приводит к кардинальной перестройке спектра элементарных возбуждений системы, в частности, к возникновению поляронов большого радиуса. При этом существенно изменяются оптические и транспортные свойства наноструктур. За последнее время достигнут значительный прогресс в экспериментальных исследованиях поляронных состояний в квантовых точках. |
Текущие научные проекты |
Наши теоретические исследования электрон-фононного взаимодействия показали, что в структурах с пониженной размерностью существенную роль играют интерфейсные оптические фононы. При этом оказывается, что как оптические, так и электрические свойства наноструктур существенно зависят от поляризационных свойств материала барьеров. Были изучены наноструктуры различной симметрии, и для всех типов структур удалось определить ветви оптических фононов, которые оказывают наибольшее воздействие на модификацию спектра возбуждений. Развит оригинальный метод учета влияния интерфейсных фононов на поляронные состояния в квантовых ямах, проволоках и точках. Этот метод позволяет определить величину электрон–фононного взаимодействия без вычисления точного фононного спектра структуры. Показано, что в симметричных квантовых ямах для описания электрон-фононного взаимодействия можно использовать эффективную константу, которая определяется массой носителей в квантовой яме и диэлектрическими свойствами барьеров. Такой вид константы взаимодействия возникает при последовательном учете влияния интерфейсных оптических фононов. Эта константа может быть использована как в случае сильного, так и слабого электрон-фононного взаимодействия. Доказательство существования нового типа интерфейсных возбуждений в гетероструктурах представляет собой принципиально новый результат. Он открывает новые направления развития исследований в физике наногетероструктур. |
Избранные публикации |
|
Профиль в базах цитирований научных статей |
|
Участие в конференциях |
|
Контакты |
194021, Политехническая ул., 26, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Телефон: (812) 292 7397 Факс: (812) 297 1017 Эл. почта: Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
|