Балагула Роман Михайлович

  

Ведущий инженер

 

Краткие биографические данные:
  • В 2012 году окончил Санкт-Петербургский государственный политехнический университет - магистр техники и технологии. С 2012 года обучается в аспирантуре под руководством Л.Е. Воробьева.

Основные научные интересы:
  • Оптические явления и неравновесные носители заряда в полупроводниках и наноструктурах
  • Разработка новых оптоэлектронных приборов (источников и детекторов излучения) среднего инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра

Текущие научные проекты:

 Создание новых источников излучения терагерцового диапазона – актуальная задача полупроводниковой оптоэлектроники. Для практических применений наиболее удобны источники излучения с электрическим возбуждением. В связи с этим ставится задача исследования различных механизмов эмиссии терагерцового излучения из полупроводниковых микро- и наноструктур в электрическом поле. Одним из перспективных направлений в этой области является использование оптических переходов горячих (неравновесных) электронов между примесными состояниями в полупроводниках.

Избранные публикации:

 

  1. Sofronov, A.N., Vorobjev, L.E., Firsov, D.A., Balagula, R.M., Tonkikh, A.A. Temperature depopulation of the GeSi/Si quantum dots with non-equilibrium charge carriers. Superlattices and Microstructures, 107, pp. 228-233 (2017).
  2. Maxim Vinnichenko, Roman Balagula, Ivan Makhov, Dmitry Firsov, Leonid Vorobjev, Leon Shterengas, Gregory Belenky The effect of Auger recombination on the nonequilibrium carrier recombination rate in the InGaAsSb/AlGaAsSb quantum wells. Superlattices and Microstructures 109 743-749 (2017).
  3. V. Akimov, D.A. Firsov, C.A. Duque, V. Tulupenko, R.M. Balagula, M. Ya. Vinnichenko, L.E. Vorobjev Temperature shift of intraband absorption peak in tunnel-coupled QW structure. Optical Materials, Vol. 66, pp.160-165 (2017).
  4. A A Shumilov, M Ya Vinnichenko, R M Balagula, I S Makhov, D A Firsov, L E Vorobjev. Intersubband light absorption in double GaAs/AlGaAs quantum wells under lateral electric field . Journal of Physics: Conference Series 690 012017 (2016).
  5. Sofronov A. N., Vorobjev L. E., Firsov D. A., Panevin V. Y., Balagula R. M., Werner P., Tonkikh A. A.. Photoinduced mid-infrared intraband light absorption and photoconductivity in Ge/Si quantum dots. Superlattices and Microstructures, 87, 53-57 (2015).
  6. Sofronov, A.N., Vorobjev, L.E., Firsov, D.A., Panevin, V.Y., Balagula, R.M., Werner, P., Tonkikh, A.A. Photoinduced mid-infrared intraband light absorption and photoconductivity in Ge/Si quantum dots. Superlattices and Microstructures. Available online (29 June 2015).
  7. Д.А.Фирсов, Л.Е.Воробьев, М.Я.Винниченко, Р.М.Балагула, М.М.Кулагина, А.П.Васильев. Влияние поперечного электрического поля и температуры на поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Физика и техника полупроводников 49, вып. 11, 1473-1477 (2015).
  8. D.A. Rybalko, M.Ya.Vinnichenko, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, R.M. Balagula, M.M. Kulagina, A.P. Vasil'iev. Intersubband absorption modulation in the GaAs/AlGaAs double tunnel-coupled quantum wells. Journal of Physics: Conference Series 586 012012 (2015).
  9. L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, R.M. Balagula, A.A. Tonkikh. Mid-infrared light absorption by photo-excited charge carriers in Ge/Si quantum dots. Journal of Physics: Conference Series 586 012001 (2015)
  10. Д.А.Фирсов, Л.Е.Воробьев, В.Ю.Паневин, А.Н.Софронов, Р.М.Балагула, И.С.Махов, Д.В.Козлов, А.П.Васильев. Терагерцовое излучение, связанное с примесными переходами электронов в квантовых ямах при оптической и электрической накачке. Физика и техника полупроводников, том 49, выпуск 1, с.30-34 (2015).
  11. D.A. Rybalko, M.Ya.Vinnichenko, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, R.M. Balagula, V.Yu. Panevin, M.M. Kulagina, A.P. Vasil'iev. Intersubband light absorption in tunnel-coupled GaAs/AlGaAs quantum wells for electrooptic studies. Journal of Physics: Conference Series 541 012081 (2014).
  12. L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, R.M. Balagula, I.S. Makhov, A.P. Vasil’ev. Far- and near-infrared photoluminescence from n-GaAs/AlGaAs multiple quantum wells. Journal of Physics: Conference Series 541 012082 (2014).
  13. R.M. Balagula, A.N. Sofronov, V.Yu. Panevin, D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, A.A. Tonkikh, P. Werner. Photoinduced absorption and photoconductivity of Ge/Si quantum dots in mid-infrared range under interband excitation. Journal of Physics: Conference Series 541 012087 (2014).
  14. D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, R.M. Balagula, D.V. Kozlov. Impurity-related terahertz emission from quantum well nanostructures. Lithuanian Journal of Physics 54(1) pp.45-49 (2014).
  15. Vorobjev L.E., Firsov D.A., Panevin V.Yu., Sofronov A.N., Balagula R.M., Makhov I.S. Near- and far-infrared emission from GaAs/AlGaAs quantum wells under interband optical excitation., St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. № 4-2(182). pp. 109-114 (2013).
  16. Винниченко М.Я., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Машко М.О., Балагула Р.М. Зависимость концентрации носителей заряда от тока в инжекционных лазерах среднего ИК диапазона с квантовыми ямами, Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. № 11. С. 1526-1529.
  17. В.Ю. Паневин, А.Н. Софронов, Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, М.Я. Винниченко, Р.М.Балагула, А.А. Тонких, P. WernerB. Fuhrman, G. Schmidt, Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si, Физика и техника полупроводников 47, вып. 12, 1599-1603 (2013).
  18. Д. Донецкий (D. Donetsky), Г. Беленький (G. Belenky), Л.Е. Воробьев, М.Я. Винниченко, Д.А. Фирсов, Р.М. Балагула, А.В. Бобылев, С.П. Свенсон (S. P. Svensson), Время жизни носителей заряда в сверхрешетках InAs/GaSb, Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки, раздел "Физика конденсированного состояния" №2(170), стр. 15-21 (2013).

 

 

 

Профиль в базах цитирований научных статей:

Elibrary

Scopus

Участие в конференциях:

  • IX, XII– XVI Всероссийские молодежные конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург 2010 – 2014)
  • XII Российская конференция по физике полупроводников (Ершово 2015)
  • XXXIX – XLIII недели науки СПбГПУ (Санкт-Петербург 2009 – 2014)

  • 21th – 23th International Symposium ”Nanostructures: Physics and Technology” (St. Petersburg 2013 – 2015)
  • 1st – 2nd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint-Petersburg OPEN (St. Petersburg 2014, 2015)
  • XVIII – XIX Международные симпозиумы "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород 2014 – 2015).
  • International Conference on the Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN16, Medellin, Colombia, 2015)
  • 15th International Symposium on Ultrafast Phenomena in Semiconductors (Vilnius, Lithuania, 2013)

Контакты:

 

195251, Санкт-Петербург, Политехническая 29,
2-й учебный корпус, помещение 210.
Телефон: (812) 552-9671
Факс: (812) 533-47-17
Эл. почта: Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Дополнительная информация