Возрастающий в последние годы интерес к терагерцовому излучению связан с широкими возможностями его применения в различных областях науки и техники. Действительно, линии поглощения, которые вызваны колебательными и вращательными переходами органических молекул, находятся в ТГц части спектра, что позволяет осуществлять их исследование, а также селективное воздействие на них. ТГц излучение не обладает ионизирующим действием, что делает его безопасным для живых организмов и позволяет применять его для медицинской диагностики и экологического мониторинга окружающей среды. Благодаря высокой проникающей способности, ТГц излучение может быть использовано в системах безопасности (например, для обнаружения спрятанных предметов). Сферы возможного применения терагерцового излучения не ограничиваются указанными областями и постоянно расширяются.
Все вышеперечисленные современные технологии не получили пока широкого распространения из-за отсутствия подходящих источников терагерцового излучения. Дело в том, что все известные на сегодня источники ТГц излучения (лазеры на свободных электронах, молекулярные газовые лазеры, лазеры на горячих дырках в германии, квантово-каскадные лазеры) либо чрезмерно громоздки, либо чрезмерно дороги (либо обладают обоими этими недостатками одновременно). Поэтому актуальными являются исследования, направленные на создание новых схем генерации терагерцового излучения.

1. Maxim Vinnichenko, Roman Balagula, Ivan Makhov, Dmitry Firsov, Leonid Vorobjev, Leon Shterengas, Gregory Belenky The effect of Auger recombination on the nonequilibrium carrier recombination rate in the InGaAsSb/AlGaAsSb quantum wells. Superlattices and Microstructures 109 743-749 (2017).
2. I.S. Makhov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, M.Ya. Vinnichenko, A.P. Vasil'ev, N.A. Maleev The effect of stimulated interband emission on the impurity-assisted far-infrared photoluminescence in GaAs/AlGaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures 112 79-85 (2017).
3. A A Shumilov, M Ya Vinnichenko, R M Balagula, I S Makhov, D A Firsov, L E Vorobjev. Intersubband light absorption in double GaAs/AlGaAs quantum wells under lateral electric field . Journal of Physics: Conference Series 690 012017 (2016).
4. Д.А.Фирсов, Л.Е.Воробьев, В.Ю. Паневин, А.Н. Софронов, Р.М. Балагула, И.С. Махов, Д.В. Козлов, А.П.Васильев. Терагерцовое излучение, связанное с примесными переходами электронов в квантовых ямах при оптической и электрической накачке. Физика и техника полупроводников 49, вып. 1, 30-34 (2015).
5. A.V. Selivanov, I.S. Makhov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, L. Shterengas. Mid-infrared photoluminescence from structures with InAs/GaSb type II quantum wells. Journal of Physics: Conference Series 643 012078 (2015).
6. L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, R.M. Balagula, I.S. Makhov, A.P. Vasil’ev. Far- and near-infrared photoluminescence from n-GaAs/AlGaAs multiple quantum wells. Journal of Physics: Conference Series 541 012082 (2014).
7. Vorobjev L.E., Firsov D.A., Panevin V.Yu., Sofronov A.N., Balagula R.M., Makhov I.S. Near- and far-infrared emission from GaAs/AlGaAs quantum wells under interband optical excitation. St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. No. 4-2(182), pp.109-114 (2013).

• IX, XV– XVII Всероссийские молодежные конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург 2013 – 2015)
• XLII – XLIV недели науки СПбГПУ (Санкт-Петербург 2013 – 2015)

• National and International Networks GDR&I THz "Semiconductor sources and detectors of THz frequencies" (2013, Montpellier, France).
• 22th International Symposium ”Nanostructures: Physics and Technology” (St. Petersburg 2014)
• 1st – 2nd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint-Petersburg OPEN (St. Petersburg 2014, 2015)
• XVIII Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород 2014).