Лаборатория "Технология GaN для светодиодов"

Руководитель направления:

 

Научный коллектив:

  • аспирант Коготков В.С.
  • аспирант Вирко М.В.

Основными направлениями исследований являются:

  1. Получение GaN подложек HVPE методом
  2. Исследование дислокаций и дефектов упаковки в GaN

Цель исследований:

  • Эпитаксиальный рост толстых слоёв GaN для подложек на базе которых создаются светодиоды и лазеры видимого и ультрафиолетового диапазонов спектра .

В рамках работ направления опубликованы статьи, монографии, учебные пособия (см. избранный список на странице Шретера Юрия Георгиевича.


К другим лабораториям кафедры: ссылка

Дополнительная информация