Лаборатория "Технология GaN для светодиодов"
Руководитель направления:
- д.ф.-м.н., профессор Шретер Юрий Георгиевич
Научный коллектив:
- аспирант Коготков В.С.
- аспирант Вирко М.В.
Основными направлениями исследований являются:
- Получение GaN подложек HVPE методом
- Исследование дислокаций и дефектов упаковки в GaN
Цель исследований:
- Эпитаксиальный рост толстых слоёв GaN для подложек на базе которых создаются светодиоды и лазеры видимого и ультрафиолетового диапазонов спектра .
В рамках работ направления опубликованы статьи, монографии, учебные пособия (см. избранный список на странице Шретера Юрия Георгиевича.
К другим лабораториям кафедры: ссылка
- Оптика неравновесных электронов
- Коллоидные нанокристаллы (квантовые точки)
- Физика высокотемпературных сверхпроводников
- Туннельная спектроскопия и сканирующая туннельная микроскопия
- Оптико-электронное приборостроение и синтез нанокомпозитов
- Органические нанокомпозитные материалы на основе фуллеренов
- Технология GaN для светодиодов
- Оптоэлектронные приборы широкозонных полупроводников
- Низкотемпературная спектроскопия
- Фоточувствительные пленки и структуры