Итоги конференции

На конференции были представлены более 20 вузов и научных центров. В сборнике на русском языке опубликован 123 доклада, которые подготовили студенты, аспиранты и молодые ученые из 14 городов России (Санкт-Петербург, Москва, Нижний Новгород, Новосибирск, Красноярск, Казань, Пенза, Воронеж, Волгоград, Саратов, Таганрог, Челноголовка, Сколково, Екатеринбург). Статьи по материалам лучших докладов будут опубликованы также на английском языке в журнале "Journal of Physics: Conference Series" (издательство IOP Publishing) , индексируемом в Scopus и Web of Science.


В программу были включены 2 приглашенных доклада ведущих российских ученых. С приглашенными докладами выступили:

А.Т. Бурков (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН) «Термоэлектрические эффекты и преобразователи энергии».

К.В. Кавокин (СПбГУ, ИЭФБ им. И.М. Сеченова РАН) «Спиновая физика - от полупроводников до птиц».


На 9 пленарных заседаниях студентами, аспирантами и молодыми учёными было сделано 47 устных доклада. Состоялась стендовая сессия (72 доклада) по разделам: "Объемные свойства полупроводников", "Процессы роста, поверхность, границы раздела", "Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы", "Квантовые точки, квантовые нити и другие низкоразмерные системы", "Приборы опто- и наноэлектроники", "Новые материалы".


Программный комитет отметил дипломами и премиями следующие работы аспирантов и студентов.

Премией им. Е.Ф. Гросса за лучшую работу в области оптики полупроводников награждёны:

Елисеев Илья Александрович, аспирант, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, «Влияние облучения ультрафиолетовыми фотонами и медленными электронами на зарядовое состояние графена»

  

Артемьев Александр Андреевич, студент, Санкт-Петербургский Политехнический университет Петра Великого, «Терагерцовое излучение поверхностных плазмон-фонон-поляритонов в n-GaAs»

  

Дипломом I степени и премией награждены:

Петров Александр Сергеевич, аспирант, МФТИ, Москва, «Теория возмущений для гидродинамических плазменных эффектов в двумерных электронных системах»

  

Бойков Иван Константинович, студент, Санкт-Петербургский Академический университет РАН,  «Альфа-фактор многомодовых полупроводниковых лазеров»»

  

 

Дипломом II степени и премией награждены:

Бреев Илья Дмитриевич, аспирант, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН,  «Cпектроскопия анти-пересечения и кросс-релаксации в кристаллах карбида кремния и её применение в квантовой термометрии и магнитометрии»

Акмаев Марк Александрович, студент, МГУ, Москва, «Пространственное распределение люминесценции электронно-дырочной системы в двухямной гетероструктуре Si/SiGe/Si»

Смирнова Ольга Олеговна, студентка, Санкт-Петербургский академический университет РАН, «Динамика и поляризиция фотолюминесценции ансамбля квантовых точек»

 


 

Дипломом III степени и премией награждены:

Авдиенко Павел Сергеевич, аспирант, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург , «Гетероструктуры с квантовыми точками на основе соединений А2В6 для источников одиночных фотонов»

Голинская Анастасия Дмитриевна, аспирантка, МГУ, Москва, «Особенности дифференциального пропускания коллоидных полупроводниковых нанопластин»

Морозов Константин Михайлович, аспирант, Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, «Исследование свойств резонатора на основе таммовского плазмона с субволновым структурированием в виде кольца»

Конюх Дмитрий Александрович, студент, Санкт-Петербургский Политехнический университет Петра Великого , «Влияние нановключений на жесткость аморфных тел»

Уточкин Владимир Васильевич, студент, Нижегородский государственный университет, «Структуры с КЯ HgTe/CdHgTe для лазеров дальнего ИК диапазона»

 


 

Дипломами награждены:

Артеев Дмитрий Сергеевич, аспирант, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург ,  «Применение искусственных нейронных сетей для предсказания параметров эпитаксиальных слоёв AlGaN, выращенных методом МОГФЭ»

Ведь Михаил Владиславович, аспирант, Нижегородский государственный университет, «Светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/(A3,Fe)Sb (A3=Ga, In)»

Зайцева Эльза Гайнуллаевна, аспирантка, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, «Характеризация внутренней границы раздела структур кремний-на-изоляторе»

Казанцев Дмитрий Михайлович, аспирант, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, «Монте-Карло моделирование разупорядочения рельефа, ступенчато-террасированных поверхностей»

Леонидов Андрей Алексеевич, аспирант, Санкт-Петербургский Политехнический университет Петра Великого «Пластины нитрида галлия, полученные отделением от подложки, сапфира с помощью буферного слоя углерода»

Лобанова Евгения Юрьевна, аспирантка, Университет ИТМО, «Интеркаляционный синтез структуры графен/Fe/SiC(0001)»

Никольская Алена Андреевна, аспирантка, Нижегородский государственный университет, «Изучение светоизлучающей гексагональной фазы 9R-Si»

Петров Алексей Сергеевич, аспирант,Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск,  «Влияние стока адатомов в ступени на двумерно-островковое зарождение Si и Ge на поверхности Si(111)-(7×7)»

Шаров Владислав Андреевич, аспирант,Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН , «Плотность поверхностных состояний в вюрцитных нитевидных нанокристаллах InP»

Антонов Артем Сергеевич, студент, Санкт-Петербургский Политехнический университет Петра Великого, «Термоэлектрические свойства моносилицида кобальта и, его твердых растворов»

Бородин Богдан Романович, студент, ЛЭТИ, Санкт-Петербург, «Селективное фотоокисление на гетеропереходе MoSe2-графен»

Васильев Никита Николаевич, студент, Новосибирский государственный университет, «Транспортные свойства толстых пленок HgTe»

Васильева Ангелина Александровна, студентка, ЛЭТИ, Санкт-Петербург, «Экситоны в слоях ZnO»

Граф Сергей Владимирович, студент, Санкт-Петербургский Политехнический университет , «Терагерцовая фотолюминесценция в квантовых ямах GaAs/AlGaAs с примесями», 

Денисова Галина Андреевна, студентка, ЛЭТИ, Санкт-Петербург , «Расшифровка спектров фотолюминесценции метаморфных гетероструктур In0,75Al0,25As/In(0,05-0,8)Al(0,95-0,2)As/GaAs»

Климов Александр Алексеевич, студент, Санкт-Петербургский Политехнический университет, «Фотодиоды на основе ДГС N-InAsSbP/n-InAs/N-InAsSbP (λmax=3.4 мкм, 300 К) с удаленной подложкой»

Любомиров Алексей Дмитриевич, студент, Санкт-Петербургский государственный университет, «Создание и оптическая характеризация двумерных слоёв дихалькогенидов переходных металлов»

Уаман Светикова Татьяна Аурелиястудентка, МГУ, Москва , «Спектры примесной фотопроводимости узкощелевых твердых растворов Hg1-xCdxTe при различных температурах» 

 

 


Ссылки на фотографии с 20-ой конференции:

Наши фотографии (Яндекс-диск)

Фотограф Баронов Олег (Яндекс-диск)

Поздравляем победителей!