Итоги конференции
На конференции были представлены более 20 вузов и научных центров. В сборнике на русском языке опубликован 123 доклада, которые подготовили студенты, аспиранты и молодые ученые из 14 городов России (Санкт-Петербург, Москва, Нижний Новгород, Новосибирск, Красноярск, Казань, Пенза, Воронеж, Волгоград, Саратов, Таганрог, Челноголовка, Сколково, Екатеринбург). Статьи по материалам лучших докладов будут опубликованы также на английском языке в журнале "Journal of Physics: Conference Series" (издательство IOP Publishing) , индексируемом в Scopus и Web of Science.
В программу были включены 2 приглашенных доклада ведущих российских ученых. С приглашенными докладами выступили:
А.Т. Бурков (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН) «Термоэлектрические эффекты и преобразователи энергии».
К.В. Кавокин (СПбГУ, ИЭФБ им. И.М. Сеченова РАН) «Спиновая физика - от полупроводников до птиц».
На 9 пленарных заседаниях студентами, аспирантами и молодыми учёными было сделано 47 устных доклада. Состоялась стендовая сессия (72 доклада) по разделам: "Объемные свойства полупроводников", "Процессы роста, поверхность, границы раздела", "Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы", "Квантовые точки, квантовые нити и другие низкоразмерные системы", "Приборы опто- и наноэлектроники", "Новые материалы".
Программный комитет отметил дипломами и премиями следующие работы аспирантов и студентов.
Премией им. Е.Ф. Гросса за лучшую работу в области оптики полупроводников награждёны:
Елисеев Илья Александрович, аспирант, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, «Влияние облучения ультрафиолетовыми фотонами и медленными электронами на зарядовое состояние графена» |
Артемьев Александр Андреевич, студент, Санкт-Петербургский Политехнический университет Петра Великого, «Терагерцовое излучение поверхностных плазмон-фонон-поляритонов в n-GaAs» |
Дипломом I степени и премией награждены:
Петров Александр Сергеевич, аспирант, МФТИ, Москва, «Теория возмущений для гидродинамических плазменных эффектов в двумерных электронных системах» |
Бойков Иван Константинович, студент, Санкт-Петербургский Академический университет РАН, «Альфа-фактор многомодовых полупроводниковых лазеров»» |
Дипломом II степени и премией награждены:
Бреев Илья Дмитриевич, аспирант, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, «Cпектроскопия анти-пересечения и кросс-релаксации в кристаллах карбида кремния и её применение в квантовой термометрии и магнитометрии»
Акмаев Марк Александрович, студент, МГУ, Москва, «Пространственное распределение люминесценции электронно-дырочной системы в двухямной гетероструктуре Si/SiGe/Si»
Смирнова Ольга Олеговна, студентка, Санкт-Петербургский академический университет РАН, «Динамика и поляризиция фотолюминесценции ансамбля квантовых точек»
Дипломом III степени и премией награждены:
Авдиенко Павел Сергеевич, аспирант, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург , «Гетероструктуры с квантовыми точками на основе соединений А2В6 для источников одиночных фотонов»
Голинская Анастасия Дмитриевна, аспирантка, МГУ, Москва, «Особенности дифференциального пропускания коллоидных полупроводниковых нанопластин»
Морозов Константин Михайлович, аспирант, Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, «Исследование свойств резонатора на основе таммовского плазмона с субволновым структурированием в виде кольца»
Конюх Дмитрий Александрович, студент, Санкт-Петербургский Политехнический университет Петра Великого , «Влияние нановключений на жесткость аморфных тел»
Уточкин Владимир Васильевич, студент, Нижегородский государственный университет, «Структуры с КЯ HgTe/CdHgTe для лазеров дальнего ИК диапазона»
Дипломами награждены:
Артеев Дмитрий Сергеевич, аспирант, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург , «Применение искусственных нейронных сетей для предсказания параметров эпитаксиальных слоёв AlGaN, выращенных методом МОГФЭ»
Ведь Михаил Владиславович, аспирант, Нижегородский государственный университет, «Светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/(A3,Fe)Sb (A3=Ga, In)»
Зайцева Эльза Гайнуллаевна, аспирантка, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, «Характеризация внутренней границы раздела структур кремний-на-изоляторе»
Казанцев Дмитрий Михайлович, аспирант, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, «Монте-Карло моделирование разупорядочения рельефа, ступенчато-террасированных поверхностей»
Леонидов Андрей Алексеевич, аспирант, Санкт-Петербургский Политехнический университет Петра Великого «Пластины нитрида галлия, полученные отделением от подложки, сапфира с помощью буферного слоя углерода»
Лобанова Евгения Юрьевна, аспирантка, Университет ИТМО, «Интеркаляционный синтез структуры графен/Fe/SiC(0001)»
Никольская Алена Андреевна, аспирантка, Нижегородский государственный университет, «Изучение светоизлучающей гексагональной фазы 9R-Si»
Петров Алексей Сергеевич, аспирант,Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, «Влияние стока адатомов в ступени на двумерно-островковое зарождение Si и Ge на поверхности Si(111)-(7×7)»
Шаров Владислав Андреевич, аспирант,Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН , «Плотность поверхностных состояний в вюрцитных нитевидных нанокристаллах InP»
Антонов Артем Сергеевич, студент, Санкт-Петербургский Политехнический университет Петра Великого, «Термоэлектрические свойства моносилицида кобальта и, его твердых растворов»
Бородин Богдан Романович, студент, ЛЭТИ, Санкт-Петербург, «Селективное фотоокисление на гетеропереходе MoSe2-графен»
Васильев Никита Николаевич, студент, Новосибирский государственный университет, «Транспортные свойства толстых пленок HgTe»
Васильева Ангелина Александровна, студентка, ЛЭТИ, Санкт-Петербург, «Экситоны в слоях ZnO»
Граф Сергей Владимирович, студент, Санкт-Петербургский Политехнический университет , «Терагерцовая фотолюминесценция в квантовых ямах GaAs/AlGaAs с примесями»,
Денисова Галина Андреевна, студентка, ЛЭТИ, Санкт-Петербург , «Расшифровка спектров фотолюминесценции метаморфных гетероструктур In0,75Al0,25As/In(0,05-0,8)Al(0,95-0,2)As/GaAs»
Климов Александр Алексеевич, студент, Санкт-Петербургский Политехнический университет, «Фотодиоды на основе ДГС N-InAsSbP/n-InAs/N-InAsSbP (λmax=3.4 мкм, 300 К) с удаленной подложкой»
Любомиров Алексей Дмитриевич, студент, Санкт-Петербургский государственный университет, «Создание и оптическая характеризация двумерных слоёв дихалькогенидов переходных металлов»
Уаман Светикова Татьяна Аурелия, студентка, МГУ, Москва , «Спектры примесной фотопроводимости узкощелевых твердых растворов Hg1-xCdxTe при различных температурах»
Ссылки на фотографии с 20-ой конференции:
Фотограф Баронов Олег (Яндекс-диск)