Итоги конференции

Опубликовано 92 доклада, представленных студентами и аспирантами более чем из 20 вузов и научных центров, 13 городов России, включая Москву, Санкт-Петербург, Екатеринбург, Нижний Новгород, Воронеж, Пензу, Волгоград, Тулу, Таганрог, Черноголовку. Расширенные тезисы докладов на английском языке были опубликованы в журнале "Journal of Physics: Conference Series" , индексируемом в Scopus и Web of Science.

В программу были включены 2 приглашенных доклада ведущих российских ученых. С приглашенными докладами выступили:

доктор физ.-мат. наук, член-корреспондент П.С. Копьёв (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН) «Нитриды. Четвертая нобелевская премия в области полупроводниковых наногетероструктур»,

доктор физ.-мат. наук А.В. Иванчик (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН) «XXI век – эра прецизионной космологии».

На 9 пленарных заседаниях студентами и аспирантами было сделано 41 устных доклада. Состоялась стендовая сессия (43 доклада) по разделам: "Процессы роста, поверхность, границы раздела", "Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы", "Квантовые точки, квантовые нити и другие низкоразмерные системы", "Приборы опто- и наноэлектроники ", "Новые материалы".

Программный комитет отметил дипломами и премиями следующие работы аспирантов и студентов.

Премией имени Е. Ф. Гросса за лучшую работу в области оптики полупроводников награждены:

Еременко Максим Викторович, аспирант, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, руководитель А.Н. Резницкий, д.ф.-м.н., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Экситонные состояния и релаксация энергии в квантоворазмерных структурах ZnCdSe с самоорганизованными квантовыми точками» (премия 5000 руб.)

  

Коптева Наталия Евгеньевна, студентка, Санкт-Петербургский Государственный университет, соавтор А.В. Михайлов, асп., СПбГУ, руководитель Р. В. Чербунин, к.ф.-м.н., СПбГУ, за доклад «Осцилляции Раби в микрорезонаторе с параболической квантовой ямой» (премия 5000 руб.)

  

Дипломом I степени и премией награждена:

Барышникова Ксения Владимировна, аспирантка, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики «ИТМО», руководители М.И. Петров, к.ф.-м.н., доц., СПбАУ НОЦ РАН, П.А. Белов, д.ф.-м.н., г.н.с., ИТМО, за доклад «Кремниевые наночастицы для тонкопленочных фотовольтаических элементов» (премия 4500 руб.)

  

 

Дипломом II степени и премией награждены:

Азарова Екатерина Сергеевна, аспирантка, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, руководитель Г.М. Максимова, к.ф.-м.н, доц., ННГУ им. Н.И. Лобачевского, за доклад «Электронный транспорт в неупорядоченных мультибарьерных структурах на основе графена с пространственно-неоднородной дираковской щелью» (премия 3500 руб.)

Трифонов Артур Валерьевич, аспирант, Санкт-Петербургский государственный университет, руководитель И.В. Игнатьев, д.ф.-м.н, проф., СПбГУ, за доклад «Изучение динамики релаксации в поляритонных лазерах методом двухимпульсной накачки» (премия 3500 руб.)

Божьев Иван Вячеславович, студент, Московский Государственный университет, соавтор А.В. Ржевский, студ., 6 курс, МГУ, руководитель В.А. Крупенин, к.ф.-м.н., с.н.с., МГУ, за доклад «Полевой транзистор с неравномерно-легированным каналом-нанопроводом» (премия 3500 руб.)

Котова Любовь Викторовна, студентка, Балтийский государственный технический университет «Военмех», руководитель А.В. Платонов, к.ф.-м.н., с.н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Эффекты пространственной дисперсии в отражении света от квантовых ям» (премия 3500 руб.)

Кошелев Кирилл Леонидович, студент, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, руководитель А. А. Богданов, к.ф.-м.н., н.с., ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, за доклад «Температурное управление оптическими свойствами гиперболических метаматериалов» (премия 3500 руб.)


 

Дипломом III степени и премией награждены аспиранты:

Мелентьев Григорий Александрович, аспирант, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, соавтор А.Н. Софронов, к.ф.-м.н., доц., СПбПУ, руководитель В.А. Шалыгин, д.ф.-м.н., проф., СПбПУ, за доклад «Отражение и эмиссия терагерцового излучения, связанные с неравновесными поверхностными плазмон-поляритонами в n-GaN» (премия 2500 руб.)

Панькин Дмитрий Васильевич, аспирант, Санкт-Петербургский государственный университет, руководитель М.Б. Смирнов, д.ф.-м.н., проф., СПбГУ, за доклад «Исследование вкладов полярных оптических фононов в спектры комбинационного рассеяния света для напряженных короткопериодных сверхрешеток GaN/AlN» (премия 2500 руб.)

Моисеев Эдуард Ильмирович, студент, Академический университет, Санкт-Петербург, руководитель Н.В. Крыжановская, к.ф.-м.н., с.н.с., Академический университет, за доклад «Лазерная генерация в кольцевых и дисковых микрорезонаторах сверхмалого диаметра с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs» (премия 2500 руб.)

Рыбалко Дмитрий Александрович, студент, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, соавтор Р.М. Балагула, асп., СПбПУ, руководитель М.Я. Винниченко, к.ф.-м.н., ст. преп., СПбПУ, за доклад «Исследование модуляции межподзонного поглощения в двойных туннельно-связанных квантовых ям GaAs/AlGaAs» (премия 2500 руб.)


 

Дипломами награждены:

Абросимов Александр Сергеевич, аспирант, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, руководитель Е.С. Демидов, д.ф.-м.н., ННГУ, за доклад «Исследование температурной зависимости ЭПР Pb-центров в пористом кремнии»

Герт Антон Владимирович, аспирант, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, руководитель И.Н. Яссиевич, д.ф.-м.н., проф., г.н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Эффективный гамильтониан силицена»

Дегтярев Владимир Евгеньевич, аспирант, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, руководитель С.В. Хазанова, к.ф.-м.н., доц., ННГУ, за доклад «Влияние параметров поперечного сечения на энергетический спектр в InAs квантовых нитях»

Крылов Иван Владимирович, аспирант, Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, соавторы Е.А. Костикова, студ., 5 курс, МГУ им. М.В. Ломоносова, К.А. Дроздов, м.н.с., МГУ им. М.В. Ломоносова, руководитель Д.Р. Хохлов, чл-корр. РАН, проф., МГУ им. М.В. Ломоносова, за доклад «Энергетический спектр и оптические свойства тонких наноструктурированных пленок оксида индия(III) с квантовыми точками теллурида кадмия»

Полухин Иван Сергеевич, аспирант, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, руководитель В.А. Зыков, к.ф.-м.н., доц., СПбГПУ, за доклад «Получение и исследование электрических и фотоэлектрических свойств анизотипных гетеропереходов n-Si/p-CdTe »

Афанасьев Александр Николаевич, студент, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, руководитель Г.Г. Зегря, д.ф.-м.н., г.н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Генерация чисто спиновых токов при оже-рекомбинации в квантовых ямах с расщеплением Рашбы и Дрессельхауса»

Кириленко Олег Игоревич, студент, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, соавтор Р.М. Балагула, асп., СПбПУ, А.Н. Софронов, к.ф.-м.н., доц., СПбПУ, руководитель за доклад «Динамический эффект Бурштейна-Мосса в квантовых точках Ge/Si»

Соколов Павел Сергеевич, студент, Санкт-Петербургский государственный университет, руководитель С. Ю. Вербин, д.ф.-м.н., проф., СПбГУ, за доклад «Влияние компонентного состава и механических напряжений на расщепление ядерных спиновых состояний в InGaAs/GaAs квантовых точках»

Цзян Цзян, студент, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, соавтор И.С. Махов, студ., СПбПУ, руководители А.Н. Софронов, к.ф-м.н., доц., СПбПУ, В.Ю. Паневин, ст. преп., СПбПУ, за доклад «Фотолюминесценция среднего ИК- диапазона из структур с квантовыми ямами второго типа InAs/GaSb»

Школдин Виталий Алексеевич, студент, Санкт-Петербургский государственный Политехнический университет, руководитель Д.Б. Шустов, н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Исследование по глубине структуры 3C/6H-SiC методом катодолюминесценции»

Шостак Иван Игоревич, студент, Академический университет, Санкт-Петербург, руководитель Н.В. Крыжановская, к.ф.-м.н., с.н.с., Академический университет, за доклад «Управление модовым составом микродисковых лазеров»

Яичников Денис Юрьевич, студент, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, соавтор Г.А. Мелентьев, н.с., СПбПУ, руководитель В.А. Шалыгин, д.ф.-м.н., проф., СПбПУ, за доклад «Оптические свойства микроструктур n-GaN/сапфир»

Двенадцать докладов рекомендовано для участия в конкурсе по Программе «Участник молодежного научно-инновационного конкурса» («УМНИК») в номинации «Научные результаты, обладающие существенной новизной и перспективой их коммерциализации» с последующим их финансированием Фондом содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере:

Анисимов Андрей Николаевич, аспирант, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, руководитель П.Г. Баранов, д.ф.-м.н., проф., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «ОДМР спектрометр для физических лабораторий ВУЗов»

Белорус Антон Орестович, студент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», руководители Е.В. Мараева, к.ф.-м.н., асс., СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Ю.М. Спивак, к.ф.-м.н., доц., СПбГЭТУ «ЛЭТИ», за доклад «Исследование порошков пористого кремния методом капиллярной конденсации»

Кожуховская Светлана Андреевна, студентка, Балтийский государственный технический университет «Военмех» им. Д.Ф.Устинова, Санкт-Петербург, соавтор Е.Д. Филимонов, студ., БГТУ «Военмех», руководитель М.З. Шварц, к.ф.-м.н., с.н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Экспериментальная модель многопереходного солнечного элемента: построение вольт-амперных характеристик и моделирование «аномальной» фоточувствительности»

Контрош Евгений Владимирович, аспирант, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, соавтор А.В. Малевская, соиск., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, руководитель В.М. Андреев, д.ф.-м.н., проф., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Влияние постростовой технологии на фотоэлектрические характеристики InGaP/Ga(In)As/Ge солнечных элементов»

Кремлева Арина Валерьевна, студентка, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», руководитель Д.А. Кириленко, к.ф.-м.н., н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Исследование дефектной структуры объёмных слоёв GаN, выращенных на паттернированных подложках сапфира»

Крюков Антон Сергеевич, аспирант, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, руководитель В.М. Микушкин, к.ф.-м.н., с.н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Оже-электронная диагностика оксида графита»

Лазаренко Александра Анатольевна, аспирантка, Академический университет, Санкт-Петербург, руководитель Е.В. Никитина, к.ф.-м.н., с.н.с., Академический университет, за доклад «Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP(As)N, выращенных на подложках GаP и Si»

Лашкова Наталья Алексеевна, студентка, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», руководитель Н.В. Пермяков, асс., СПбГЭТУ «ЛЭТИ», за доклад «Особенности исследований нанометровых областей с использованием микроскопии сопротивления растекания»

Лобинский Артем Анатольевич, аспирант, Санкт-Петербургский государственный университет, руководитель В.П. Толстой, д.х.н., проф., СПбГУ, за доклад «Послойный синтез нанокристаллов полупроводниковых оксидов никеля, кобальта и марганца и их применение в качестве материалов для электродов суперконденсаторов»

Марков Виктор Андреевич, аспирант, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, руководитель А.В. Семенча, к.х.н., доц., СПбПУ, за доклад «Разработка состава и технологии нанесения микролинз из легкоплавкого высокопреломляющего стекла на светодиоды ИК-диапазона»

Сокура Лилия Александровна, аспирантка, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, руководитель Н.А. Берт, к.ф.-м.н., с.н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Особенности микроструктуры узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs»

Яковлев Георгий Евгеньевич, аспирант, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», соавтор Д.С. Фролов, асп., СПбГЭТУ «ЛЭТИ», руководитель В.И. Зубков, д.ф.-м.н., проф., СПбГЭТУ «ЛЭТИ», за доклад «Исследование процессов ионной имплантации в фоточувствительных структурах с обратной засветкой методом электрохимического вольт-фарадного профилирования»

Поздравляем победителей!