У1 Трифонов А.В.
асп., СПбГУ, С.-Петербург

Изучение динамики релаксации в поляритонных лазерах методом двухимпульсной накачки

У2 Егоров И.А.
студ., Пензенский ГУ

Сравнительный анализ режимов 1D – диссипативного туннелирования для квантовых точек во внешнем электрическом поле

У3 Герт А.В.
асп., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург

Эффективный гамильтониан силицена

У4 Иванов М.С.
студ., СПбПУ, С.-Петербург

Расчет параметров фронта ударной ионизации в высоковольтных диодных структурах на основе 4H-SiC

У5 Барышникова К.В.
асп., ИТМО, С.-Петербург

Кремниевые наночастицы для тонкопленочных фотовольтаических элементов

У6 Рыбалко Д.А.
студ., СПбПУ, С.-Петербург

Исследование модуляции межподзонного поглощения в двойных туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs

У7 Сокура Л.А.
асп., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург

Особенности микроструктуры узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs

У8 Соколов П.С.
студ., СПбГУ, С.-Петербург

Влияние компонентного состава и механических напряжений на расщепление ядерных спиновых состояний в InGaAs/GaAs квантовых точках

У9 Коптева Н.Е.
студ., СПбГУ, С.-Петербург

Осцилляции Раби в микрорезонаторе с параболической квантовой ямой

У10 Мелентьев Г.А.
н.с., СПбПУ, С.-Петербург

Отражение и эмиссия терагерцового излучения, связанные с неравновесными поверхностными плазмон-поляритонами в n-GaN

У11 Божьев И.В. 
студ., МГУ, Москва

Полевой транзистор с неравномерно-легированным каналом-нанопроводом

У12 Еременко М.В.
асп., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург

Экситонные состояния и релаксация энергии в квантоворазмерных структурах ZnCdSe с самоорганизованными квантовыми точками

У13 Кожуховская С.А.
студ., БГТУ «Военмех»,
С.-Петербург

Экспериментальная модель многопереходного солнечного элемента: построение вольт-амперных характеристик и моделирование «аномальной» фоточувствительности

У14 Крылов И.В.
асп., МГУ, Москва

Энергетический спектр и оптические свойства тонких наноструктурированных пленок оксида индия(III) с квантовыми точками теллурида кадмия

У15 Котова Л.В.
студ., БГТУ «Военмех»,
С.-Петербург

Эффекты пространственной дисперсии в отраже-нии света от квантовых ям

У16 Панькин Д.В.
асп., СПбГУ, С.-Петербург

Исследование вкладов полярных оптических фононов в спектры комбинационного рассеяния света для напряженных короткопериодных сверх-решеток GaN/AlN

У17 Шостак И.И.
студ., Академический университет, С.-Петербург

Управление модовым составом микродисковых лазеров

У18 Дегтярев В.Е. 
асп., Нижегородский ГУ

Влияние параметров поперечного сечения на энергетический спектр в InAs квантовых нитях

У19 Власова Я.В.
асп., Тульский ГПУ

Образование межъямных экситонов в наноразмерных гетеросистемах EuO-SrO

У20 Кошелев К.Л.
студ., СПбПУ, С.-Петербург

Температурное управление оптическими свойствами гиперболических метаматериалов

У21 Егорова С.Г.
асп., МГУ, Москва

Влияние микроструктуры на характер неравновесных процессов в пленках PbSe

У22 Азарова Е.С. 
асп., Нижегородский ГУ

Электронный транспорт в неупорядоченных мультибарьерных структурах на основе графена с пространственно-неоднородной дираковской щелью

У23 Гайдамака А.В.
студ., СПбПУ, С.-Петербург

Электрофизические свойства PCM-материалов в кристаллическом и аморфном состояниях

У24 Козулин А.С.
асп., Нижегородский ГУ

Провалы кондактанса в неоднородном волноводе
со спин-орбитальным взаимодействием Рашба и Дрессельхауза

У25 Рохин В.А.
студ., СПбПУ, С.-Петербург

Ультратонкие пленки силицидов кобальта на грани кремния Si(111)

У26 Крюков А.С.
асп., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург

Оже-электронная диагностика оксида графита

У27 Моисеев Э.И.
студ., Академический университет, С.-Петербург

Лазерная генерация в кольцевых и дисковых микрорезонаторах сверхмалого диаметра с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs

У28 Полухин И.C.
инж., СПбПУ, С.-Петербург

Получение и исследование электрических и фотоэлектрических свойств анизотипных гетеропереходов n-Si/p-CdTe

У29 Бакланов А.В.
студ., СПбПУ, С.-Петербург

Оценка величин эффективного сечения захвата электронов при эмиссии из вертикально связанных массивов квантовых точек в полупроводниковую матрицу

У30 Чубанов А.А.
асп., Нижегородский ГУ

Квантовые точки на границе 2D топологического изолятора

У31 Соловьев И.А.
студ., СПбГУ, С.-Петербург

Спектроскопия резонансной фотолюминесценции в магнитном поле в тонкой квантовой яме GaAs/AlGaAs

У32 Петросян Т.К.
асп., Уральский ФУ, Екатеринбург

Исследование электросопротивления и магнетосопротивления графита и графена при холодном сжатии

У33 Афанасьев А.Н.
студ., СПбПУ, С.-Петербург

Генерация чисто спиновых токов при оже-рекомбинации в квантовых ямах с расщеплением Рашбы и Дрессельхауса

У34 Михайлов И.И.
асп., СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
С.-Петербург

Люминесцентные эффекты в структурах коллоидные квантовые точки – пористый кремний

У35 Орлов А.О.
студ., МГУ, Москва

Применение асимптотических методов при моделировании волновых функций носителей заряда в гетероструктурах Si/SiGe с квантово-размерными слоями

У36 Красницкий С.А.
асп., СПбПУ, С.-Петербург

Дислокации несоответствия в сплошных и полых композитных наночастицах типа «ядро-оболочка»

У37 Лобинский А.А.
асп., СПбГУ, С.-Петербург

Послойный синтез нанокристаллов полупроводниковых оксидов никеля, кобальта и марганца и их применение в качестве материалов для электродов суперконденсаторов

У38 Тюрин И.Д.
студ., СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
С.-Петербург

Исследование структур арсенида галлия с дельта-слоями углерода методом фотоотражения

У39 Анисимов А.Н.
асп., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург

ОДМР спектрометр для физических лабораторий ВУЗов

У40 Елистратова М.А.
студ., СПбПУ, С.-Петербург

Влияние гамма- и рентгеновского облучения на спектры фотолюминесценции композитных пленок на основе С60 с неорганическими донорами

У41 Бушуйкин П.А.
асп., ИФМ РАН, Нижний Новгород

Спектры и кинетика фотовозбуждения нитрида индия

ОСП1 Зайкова В.Е.
студ., Уральский ФУ,
Екатеринбург

Барические зависимости электрических свойств (InSe)x(CuAsSe2)1-x, x=0.05, в постоянном и переменном электрических полях

ОСП2 Кремлева А.В.
студ., СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
С.-Петербург

Исследование дефектной структуры объёмных слоёв GаN, выращенных на паттернированных подложках сапфира

ОСП3 Севрюгина М.П.
асп., Национальный минерально-сырьевой университет «Горный»,
С.-Петербург

Релаксация тока в естественно-разупорядоченном полупроводнике Pb3O4

ОСП4 Усманов О.В.
студ., СПбПУ, С.-Петербург

Энергообмен фазомодулированных пучков в гиротропных фоторефрактивных кристаллах

ОСП5 Яичников Д.Ю.
студ., СПбПУ, С.-Петербург

Оптические свойства микроструктур n-GaN/сапфир

ПРПГР1 Базалевский М.А.
студ., НИТУ МИСиС,
Москва

Аспекты выращивания многокомпонентных нано-гетероструктур типа AIIIBV/AIIBVI

ПРПГР2 Васильева А.А.
студ., СПбГУ, С.-Петербург

Изучение структуры стекла Ag2O-P2O5 в области модификации фемтосекундным лазерным облучением

ПРПГР3 Высотский Н.В.
студ., СПбГУ, С.-Петербург

Исследование взаимодействия водорода с дислокациями в кремнии

ПРПГР4 Жиганова Т.А.
студ., Волгоградский ГУ

Полуэмпирические исследования образования точечного вакансионного дефекта на поверхности двумерного бора

ПРПГР5 Кобелев А.А.
асп., СПбПУ, С.-Петербург

Исследование влияния плазменной обработки на сопротивление омического контакта в структурах на основе GaN/AlGaN

ПРПГР6 Кононов П.В.
асп., СПбПУ, С.-Петербург

Применение атомно-силовой микроскопии для ана-лиза напряженного и деформированного состояния материалов

ПРПГР7 Лашкова Н.А. 
студ., СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
С.-Петербург

Особенности исследований нанометровых областей с использованием микроскопии сопротивления растекания

ПРПГР8 Линевич Н.М.
студ., СПбГУ, С.-Петербург

Интегральное поглощение экситона в неоднородных полупроводниковых тонких пленках

ПРПГР9 Пирогов А.В.
асп., Нижегородский ГУ

Эпитаксиальный рост гексагональной модификации кремния на сапфире

ПРПГР10 Школдин В.А.
студ., СПбПУ, С.-Петербург

Исследование по глубине структуры 3C/6H-SiC ме-тодом катодолюминесценции

ПРПГР11 Яковлев Г.Е.
асп., СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
С.-Петербург

Исследование процессов ионной имплантации в фоточувствительных структурах с обратной засветкой методом электрохимического вольт-фарадного профилирования

ГСКЯ1 Балагула Р.М.
асп., СПбПУ, С.-Петербург

Фотолюминесценция и внутризонное поглощение света электронами в двойных квантовых ямах

ГСКЯ2 Караваев М.Б.
студ., СПбПУ, С.-Петербург

Изучение транспортных свойств структур АIIBVI

ГСКЯ3 Лазаренко А.А.
асп., Академический университет, С.-Петербург

Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP(As)N, выращенных на подложках GаP и Si

ГСКЯ4 Малехонова Н.В.
асп., Нижегородский ГУ

Влияние времени прерывания роста на структуру сверхрешеток AlGaAs/GaAs

ГСКЯ5 Цзян Ц.
студ., СПбПУ, С.-Петербург

Фотолюминесценция среднего ИК- диапазона из структур с квантовыми ямами второго типа InAs/GaSb

КТКННС1 Абросимов А.С.
асп., Нижегородский ГУ

Исследование температурной зависимости ЭПР Pb-центров в пористом кремнии

КТКННС2 Белорус А.О.
студ., СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
С.-Петербург

Исследование порошков пористого кремния методом капиллярной конденсации

КТКННС3 Бобков А.А.
асп., СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
С.-Петербург

Получение и исследование пористых матриц в системе «диоксид кремния – диоксид олова

КТКННС4 Карманов А.А.
асп., Пензенский ГУ

Анализ энергетического спектра электронов в квантовой точке «ядро/оболочка» типа II

КТКННС5 Кириленко О.И.
студ., СПбПУ, С.-Петербург

Динамический эффект Бурштейна-Мосса в квантовых точках Ge/Si

КТКННС6 Маричев А.Е.
асп., СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
С.-Петербург

Разработка технологии получения квантовых точек InAs на подложках GaSb и твердых растворов AlGaAsSb

КТКННС7 Романов Н.М.
асп., СПбПУ, С.-Петербург

Исследование ДНА, модифицированных последующей термической обработкой

КТКННС8 Самигуллин Р.Ш.
студ., СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
С.-Петербург

Формирование упорядоченных микро- и наноразмерных капиллярных мембран на основе анодного оксида алюминия

КТКННС9 Шаравпил Г.
студ., СПбПУ, С.-Петербург

Фоточувствительные структуры на основе коллоидных квантовых точек PbS

ПОиН1 Абрашова Е.В.
асп., СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
С.-Петербург

Получение и исследование тонких пленок для использования в охлаждающих устройствах нового поколения

ПОиН2 Арутюнян С.С.
асп., ФГБУН ИПТМ РАН,
Черноголовка

Технология создания невжигаемых омических контактов к структурам на AlGaN/GaN

ПОиН3 Базалевский М.А.
студ., НИТУ МИСиС,
Москва

Выращивание арсенидов методом молекулярно-лучевой эпитаксией для сцинтилляционных детекторов

ПОиН4 Гамов И.М.
студ., СПбПУ, С.-Петербург

Разработка методики и создание прибора для исследования оптической активности металлорганических нанокомпозитов

ПОиН5 Евсеенков А.С.
асп., СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
С.-Петербург

Эффективность вывода излучения из нитридных светодиодных структур с текстурированными интерфейсами

ПОиН6 Контрош Е.В.
асп., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН,
С.-Петербург

Влияние постростовой технологии на фотоэлектрические характеристики InGaP/Ga(In)As/Ge солнечных элементов

ПОиН7 Курин С.Ю.
асп., Академический университет, С.-Петербург

Эффективность светодиодов ближнего ультрафиолетового диапазона, полученных методом HVPE

ПОиН8 Марков В.А.
асп., СПбПУ, С.-Петербург

Разработка состава и технологии нанесения микролинз из легкоплавкого высокопреломляющего стекла на светодиоды ИК- диапазона

ПОиН9 Слаповский Д.Н.
асп., ФГБУН ИПТМ РАН,
Черноголовка

Омические контакты от pHEMT к mHEMT гетеро-структурам на подложках GаAs

ПОиН10 Шиманович Д.Л.
н.с., Белорусский ГУИР,
Минск

Формирование емкостных сенсорных структур на основе свободных пластин пористого оксида алюминия с имплантированной системой встречно-штыревых обкладок

НМ1 Гареев К.Г.
асс., СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
С.-Петербург

Магнитные композиты на основе наноразмерных частиц оксидов металлов, интегрированных в матрицу диоксида кремния

НМ2 Курочка К.В.
асп., Уральский ФУ, Екатеринбург

Исследование температурных и барических зависимостей электрических свойств аморфных халькогенидов из системы Ag-Ge-As-S с содержанием углеродных нанотрубок

НМ3 Пышняк М.Г.
студ., СПбГУ, С.-Петербург

Динамика возбужденных электронных состояний донорно-акцепторных диад тетрафенилпорфирин-фуллерен