|
|
| У1 Большаков А.С. асп., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург |
Резонансные брэгговские структуры на основе системы квантовых ям InGaN/GaN |
| У2 Махов И.С. студ., СПбГПУ, С.-Петербург | Фотолюминесценция дальнего и ближнего ИК диапазона, связанная с примесными состояниями в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs |
| У3 Миронова М.С. асп., СПбГЭТУ, С.-Петербург | Метод инвариантов в теории полупроводниковых гетероструктур. Спин-зависимое расщепление электронных состояний в квантовых ямах SiGe/Si/ SiGe |
| У4 Зарин М.А. студ., Академический университет РАН, С.-Петербург | Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения на основе InGaAsP/InP гетероструктур |
| У5 Курова Н.В. асп., Нижегородский ГУ | Особенности безызлучательной Оже-рекомбинации в нанокристаллах кремния, легированных мелкими донорами (P, LI) |
| У6 Коптева Н.Е. студ., СПбГУ, С.-Петербург | Фотоиндуцированное Керровское вращение в микрорезонаторе |
Пленарное
заседание 2
(26 ноября, 14:00 - 15:15)
| У7 Балагула Р.М. асп., СПбГПУ, С.-Петербург | Фотопроводимость массивов квантовых точек Ge/Si в среднем инфракрасном диапазоне |
| У8 Рыков А.В. студ., Нижегородский ГУ | Исследование люминесцентных свойств спиновых светоизлучающих диодов с дельта-слоями Mn |
| У9 Михайлов И.И. асп., СПбГЭТУ, С.-Петербург | Люминесцентные эффекты в коллоидных квантовых точках на основе селенида кадмия |
| У10 Лялин И.И. студ., МГУ, Москва | Оценка времени жизни неравновесных носителей в дельта-легированных структурах |
| У11 Бабичев А.В. асп., Академический университет РАН, С.-Петербург | Светодиодные гетероструктуры на основе массива GaN пирамид с графеновым прозрачным контактом |
Пленарное
заседание 3
(26 ноября, 15:30 - 16:45)
| У12 Барышников К.А. асп., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург |
Влияние эффекта Яна-Теллера на поглощение ультразвука в кубическом полупроводнике ZnSe, легированном хромом, в магнитном поле |
| У13 Егорова С.Г. студ., МГУ, Москва | Транспортные свойства окисленных пленок селенида свинца |
| У14 Ламкин И.А. асп., СПбГЭТУ, С.-Петербург | Ультрафиолетовые фотодиоды на основе широкозонных нитридов |
| У15 Бакланов А.В. студ., СПбГПУ, С.-Петербург | Локальная трибоэлектризация поверхности эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов |
| У16 Волкова Н.С. асп., Нижегородский ГУ | Влияние нейтронного облучения на оптоэлектронные свойства квантоворазмерных гетеро-наноструктур In(Ga)As/GaAs |
Пленарное
заседание 4
(27 ноября, 10:00 - 11:30)
| У17 Герт А.В. асп., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург |
Безызлучательная рекомбинация в нанокристаллах кремния |
| У18 Боев М.В. студ., Новосибирский ГТУ | Оптические переходы экситонов в квантовых ямах со спин-орбитальным взаимодействием |
| У19 Квашнин Д.Г. асп., Институт биохимической физики им. Н. М. Эмануэля РАН, Москва |
Возможные пути снижения работы выхода с графеновых наноструктур. Исследование квантово-химическими методами |
| У20 Свистунов А.Н. студ., СПбГЭТУ, С.-Петербург | Разработка технологии получения методом газофазной эпитаксии слоев с изменяющейся шириной запрещенной зоны для использования их в фотоэлектрических преобразователях |
| У21 Юрова В.А. асп., СПб ГУТ им. проф. М.А. Бонч- Бруевича, С.-Петербург | Исследование дисперсионного взаимодействия между атомами и графеном |
| У22 Бокова А.М. студ., Воронежский ГУ | Модуляция электронной структуры мультиграфена |
Пленарное
заседание 5
(27 ноября, 11:45 - 13:00)
| У23 Еременко М.В. асп., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург |
Перенос энергии в двойных связанных квантовых ямах ZnCdSe с самоорганизованными квантовы-ми точками |
| У24 Белолипецкий А.В. студ., СПбГЭТУ, С.-Петербург |
Фотолюминесценция нанокристаллов кремния, сформированных в матрице аморфного гидро-генизированного кремния |
| У25 Денисенко М.В. асп., Нижегородский ГУ |
Мезоскопические флуктуации населенностей кубитов на Si/SiGe квантовых точках в поле бигармонического сигнала |
| У26 Елистратова М.А. студ., СПбГПУ, С.-Петербург | Фотолюминесценция тонких композитных пленок на основе С60 с неорганическими донорами |
| У27 Исупова Г.Г. асп., Нижегородский ГУ | Открытые квантовые биллиарды со спин-орбитальным взаимодействием: влияние магнитного поля на резонансные особенности проводимости |
Пленарное
заседание 6
(27 ноября, 14:00 - 15:15)
| У28 Василенко М.А. студ., Новосибирский ГТУ | Монте-Карло моделирование самокаталитического роста нитевидных кристаллов GaAs |
| У29 Чубанов А.А. асп., Нижегородский ГУ | Краевые состояния и проводимость в топологическом изоляторе висмут на кремнии |
| У30 Синцова К.А. студ., СПбГПУ, С.-Петербург | Влияние латеральной делокализации носителей в квантовых ямах InGaN/GaN на эффективность светодиодов при высоких уровнях инжекции |
| У31 Димитриев Г.С. асп., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург |
Влияние одноосной деформации на магнитооптические свойства ферромагнитного полупроводника (Ga,Mn)As |
| У32 Котова М.С. студ., МГУ, Москва | Эффект резистивного переключения в органических материалах на микромасштабах и энергонезависимая память на его основе |
Пленарное
заседание 7
(27 ноября, 15:30 - 17:00)
У33 Румянцев В.В. асп., ИФМ РАН, Нижний Новгород |
Длинноволновая ИК фотолюминесценция и фотопроводимость в узкозонных твердых растворах Hg1-xCdxTe и КЯ Hg1-xCdxTe/ CdyHg1-yTe |
| У34 Асланян А.Э. студ., МГУ, Москва | Электроотражение от множественных квантовых ям InGaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p-n-перехода |
| У35 Лазаренко А.А. асп., Академический университет РАН, С.-Петербург | Молекулярно-пучковая эпитаксия азотосодержащих твердых растворов GaPN, GaPNAs и InGaPN |
| У36 Милахин Д.С. студ., Новосибирский ГТУ | Физико-химические процессы при взаимодействии NH3 c поверхностью (0001) Al2O3 |
| У37 Пащенко В.П. асп., СПбГПУ, С.-Петербург | Формирование индуцированной электрическим полем акустической сверхрешетки в сегнетоэлектрической тонкой пленке |
У38 Золоторева Г.Р. студ., Томский ГУ |
Газочувствительные свойства тонких пленок диоксида олова и триоксида вольфрама при воздействии сероводорода |
Приглашенный
доклад
(28 ноября, 10:00 - 10:30)
Г.С. Соколовский (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН)
Нелинейная динамика лазеров с квантоворазмерной активной областью при импульсной накачке
Пленарное
заседание 8
(28 ноября, 10:30 - 11:30)
| У39 Щербаченко А.А. студ., СПбГПУ, С.-Петербург | Малоинерционный пироприемник субмиллиметрового диапазона |
| У40 Королёв С.А. асп., ИФМ РАН, Нижний Новгород | Роль кинетических эффектов в транспорте электронов через контакт с барьером Мотта с приповерхностным изотипным дельта-легированием |
| У41 Чучвага Н.А. студ., СПбГПУ, С.-Петербург | Эффект дальнодействия в 6H-SiC при имплантации тяжелыми ионами |
| У42 Барановский М.В. инж., СПбГЭТУ, С.-Петербург | Динамическая теория адмиттанса квантоворазмерных структур |
Пленарное
заседание 9
(28 ноября, 11:45 - 13:00)
У43 Соболев М.С. |
Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на под-ложке Si |
| У44 Фирсов Д.Д. асп., СПбГЭТУ, С.-Петербург | Фотомодуляционная спектроскопия на основе ин-фракрасного фурье-спектрометра |
| У45 Козлов В.А. студ., СПбГПУ, С.-Петербург | Синтез и исследование металлических наночастиц с плазмонным резонансом в матрице арабиногалактана |
| У46 Маричев А.Е. асп., СПбГЭТУ, С.-Петербург | Фотоприемники лазерного излучения на основе фосфида индия |
| У47 Ушанов В.И. студ., СПбГПУ, С.-Петербург | Отражение света от брэгговской решетки и хаотических массивов металлических нановключений As и AsSb в матрице AlGaAs |
Стендовая
сессия
(28 ноября 14:00 - 16:00)
1. Процессы роста, поверхность, границы раздела (ПРПГР)
| ПРПГР1 Гребенькова Ю.Э. асп., ФГБУН ИФ СО РАН, Красноярск |
Магнитный круговой дихроизм в пленочных структурах Pr0.6Sr0.4MnO3/YSZ |
ПРПГР2 Маркарян Э.С.асп., Воронежский ГУ |
Исследование процессов наноструктурирования анодных оксидов алюминия |
ПРПГР3 Мостовой Д.С. студ., СПбГПУ, С.-Петербур |
Неравновесные поверхностные плазмон-поляритоны в эпитаксиальных слоях n-GaN |
ПРПГР4 Редьков А.В. асп., Академический университет РАН, С.-Петербург |
Морфологическая устойчивость многокомпонентных систем, растущих за счет диффузии |
ПРПГР5 Рябищенкова А.Г. асп., Томский ГУ |
Диффузия атомов Rb на ступенчатой поверхности Bi2Se3 в случае низких покрытий |
ПРПГР6 Хандархаева С.Е. студ., Новосибирский ГУ |
Влияние фтора и состава электролита на морфологию границы раздела оксид/InAs(111)A |
ПРПГР7 Шахов Л.В. студ., СПбГЭТУ, С.-Петербург |
Исследование переходного слоя между кубическим и гексагональным политипами карбида кремния при гетерополитипном росте методом сублимации |
2. Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы (ГСКЯ)
| ГСКЯ1 Балагула Р.М. асп., СПбГПУ, С.-Петербур | Терагерцовая люминесценция на состояниях акцепторов в квантовых ямах |
ГСКЯ2 Дегтярев В.Е. асп., Нижегородский ГУ
|
Оптимизация параметров роста двойных туннельно-связанных квантовых ям InGaAs/GaAs |
ГСКЯ3 Зубрилкина Ю.Л. студ., Томский ГУ |
Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с МКЯ InGaN/GaN |
ГСКЯ4 Крюков А.С. |
Исследование рентгено-стимулированного восстановления оксида графена методом фотоэлектронной спектроскопии |
ГСКЯ5 Кубашевский Е.П. студ., МГУ, Москва |
Переключение поляризационных мод излучения лазерных диодов на основе p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs при одноосном сжатии |
ГСКЯ6 Малехонова Н.В.асп., Нижегородский ГУ |
Исследование поперечного среза периодических гетеронаноструктур на основе полупроводников А3В5 |
ГСКЯ7 Морозов А.В. студ., Томский ГУ |
Электронные свойства III-N структур, включающих таллий |
ГСКЯ8 Тюрин И.Д. студ., СПбГЭТУ, С.-Петербург |
Исследование структур на основе арсенида галлия методом фотоотражения |
3. Квантовые точки, квантовые нити и другие низкоразмерные системы (КТКННС)
| КТКННС1 Биккулова А.В. студ., МГУ, Москва | Электронная структура и колебательные спектры молекулоснований ДНК и РНК |
КТКННС2 Волкова Е.И. студ., Нижегородский ГУ |
Исследование гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии |
КТКННС3 Герасимов И.И.студ., СПбГУ, С.-Петербург
|
Фотоотклик массива квантовых нитей GaAs/AlGaAs со структурой ядро-оболочка |
КТКННС4 Глушков Г.И. студ., Воронежский ГУ |
Магнетизм и стабильность кластеров силицидов переходных металлов |
КТКННС5 Зенкова Ю.В., Антонов А.И. студ., Пензенский ГУ |
Особенности управляемого 2D- диссипативного туннелирования в матрице из метаматериала в условиях внешнего электрического поля |
КТКННС6 Красницкий С.А. студ., СПбГПУ, С.-Петербург |
Круговые призматические петли дислокаций несоответствия в полых композитных наночастицах типа «ядро-оболочка» |
КТКННС7 Налбандян В.М. асп., Оренбургский ГУ |
Спектр электрической поляризуемости полупроводникового двухчастичного нанокластера в магнитном поле |
КТКННС8 Петров В.А. асп., Академический университет РАН, С.-Петербург |
Исследование бескаталитического роста нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения |
КТКННС9 Смирнов А.М.студ., СПбГПУ, С.-Петербург |
Прямоугольные призматические петли дислокаций несоответствия в наногетероструктурах |
КТКННС10 Строкова Ю.А.студ., Оренбургский ГУ |
Перенос энергии экситон-активированной квантовой нити в окружающую органическую среду |
КТКННС11 Суродин С.И.студ., Нижегородский ГУ |
Исследование химического состава многослойных наноструктур на основе SiOx/ZrO2 методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии |
КТКННС12 Тучин А.В.асп., Воронежский ГУ |
Особенности изменения электронной структуры ограниченных по длине закрытых одностенных углеродных нанотрубок (5,5) и (0,9) |
КТКННС13 Уцына Е.В.студ., Нижегородский ГУ |
Зависимость энергетического спектра квантовых точек InAs/GaAs от толщины покровного слоя |
4. Приборы опто-и наноэлектроники (ПОиН)
| ПОиН1 Аблаев Г.М. асп., Академический университет РАН, С.-Петербург |
Полупрозрачные солнечные модули на основе аморфного и микрокристаллического кремния |
| ПОиН2 Абросимов А.С. асп., Нижегородский ГУ | Численное моделирование резонансно-туннельных структур на основе барьера Шоттки и гетероперехода GaAs/AlGaAs |
| ПОиН3 Иванова Е.С. студ., Томский ГУ | Численное моделирование светодиодных структур на основе GaN/InGaN |
| ПОиН4 Карпенко Е.Д. студ., СПбГПУ, С.-Петербург | Исследование волноводных свойств стёкол с наночастицами серебра на поверхности для создания биосенсоров |
ПОиН5 Крюков Р.Н. студ., Нижегородский ГУ |
Исследование систем спиновых светоизлучающих диодов со слоем ферромагнитного полупроводника GaMnAs методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии |
ПОиН6 Резчиков С.Е. асп., Ульяновский ГТУ |
Способ снижения погрешности измерения низкочастотного электрического шума светоизлучающих диодов |
ПОиН7 Тропанова А.Н. асп., Нижегородский ГУ |
Технология изготовления планарного GaN СВЧ диода с использованием плазмохимического травления |
ПОиН8 Чушкова Д.И. студ., Белорусский ГУИР, Минск |
Мембраны из нанопористого Al2O3 в качестве чувствительных элементов датчиков влажности |
5. Новые материалы (НМ)
| НМ1 Зайкова В.Е. студ., Уральский ФУ, Екатеринбург | Зависимость от времени электросопротивления аморфных материалов системы Cu-Ag-Ge-As-Se |
НМ2 Курочка К.В. |
Исследование структуры и электрических свойств стеклообразных сульфидов серебра с содержанием нанотрубок |
НМ3 Петросян Т.К. |
Барические зависимости электросопротивления фул-лерена С60, графита и квазиграфена при комнатной температуре |
НМ4 Пирогов А.В. асп., Нижегородский ГУ |
Исследование формирования гексагональной структурной модификации кремния на сапфире |
Приглашенный
доклад
(29 ноября, 10:00 - 11:00)
А.Н. Поддубный (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН)
Фотонные кристаллы и метаматериалы: топологические изоляторы
Закрытие конференции
(29 ноября, 11:20 - 12:00)
Подведение итогов, вручение премий и грамот.