История кафедры
В 1953 году по инициативе академиков А.Ф.Иоффе и П.И.Лукирского на кафедре «Техническая электроника» радиотехнического факультета Ленинградского Политехнического института впервые в СССР была организована подготовка инженеров-исследователей по специализации физика полупроводников.
Организатором и руководителем специализации был профессор Юрий Петрович Маслаковец - соратник А.Ф.Иоффе, автор работ по теории p-n перехода, создатель первого в мире (1941 г.) полупроводникового термогенератора.
В 1958 году на базе специализации была создана кафедра физики полупроводников (приказ по ЛПИ № 85 от 31 мая 1958 г.). Первым заведующим кафедрой стал Ю.П.Маслаковец (1899 – 1962).
Преподавателями кафедры физики полупроводников при ее организации, в основном, были сотрудники ИПАН, которые читали основные специальные курсы: «Технология полупроводников» (Ю.П.Маслаковец), «Физика полупроводников» (Л.С.Стильбанс, Б.И.Болтакс), «Теория полупроводников» (А.И.Ансельм), «Полупроводниковая электроника» (В.К.Субашиев), «Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках» (А.К.Вишневский - приглашен из ГОИ им. С.И.Вавилова). Были организованы лаборатории: взаимодействия электронов с полупроводниками (Ю.П.Маслаковец, У.Б.Солтамов), диффузии в полупроводниках (Б.И.Болтакс, впоследствии Ю.Н.Мохов), термостабильных резисторов (Ю.П.Маслаковец, В.П.Добрего), кинетических явлений (Л.С.Стильбанс, впоследствии В.И.Кайданов), p-n-переходов (В.К.Субашиев, впоследствии С.П.Синица), фотоэлектрических явлений (А.К.Вишневский, впоследствии В.Н.Винчаков).
Зам. зав. кафедрой Ю.К.Шалабутов руководил лабораторией на кафедре физической электроники. В 1959 году к чтению курса «Физика полупроводников» был привлечен проф. С.С.Шалыт, создал новый курс «Физика ферритов» чл.-корр. АН СССР Г.А.Смоленский. Основной штат кафедры составили ее первые выпускники: В.Н.Винчаков, Т.И.Зубкова, В.И.Кайданов, Р.Б.Мельник, Ю.Н.Мохов, С.П.Синица, У.Б.Солтамов. В лабораториях кафедры начали работать М.А.Васильева, В.М.Иванова, В.К.Мешкевич, А.В.Седов, И.К.Селецкий, А.К.Ройст.
В 1960-62 годах на кафедре были оставлены ее выпускники: Л.Е. Воробьев, В.И. Ильин, А.Б.Нуромский, Н.К.Подвязникова, В.Г.Сидоров, В.А.Целищев, И.А.Черник, А.В.Штурбин. В 1961 году на кафедре организована проблемная лаборатория полупроводниковой техники Минвуза СССР, д.ф.м.н. В.И.Стафеев начал исследования по модуляторам излучения, впоследствии - лаборатория оптики горячих электронов (руководитель: Воробьев Леонид Евгеньевич).
С 1962 по 1984 год кафедрой руководил проф. Ю.К.Шалабутов (1923 – 1984). В 1959 г. на кафедре организована отраслевая (Минэлектронпрома) лаборатория физики полупроводников, в 1961 г. - проблемная научно-исследовательская лаборатория полупроводниковой техники Минвуза РСФСР, которая затем (1972 г.) была существенно расширена.
В 1962-64 гг. произошли изменения, вызванные запретом на работу в вузах ученых из Академии наук. Курсы лекций перешли от маститых ученых-совместителей к сотрудникам кафедры, возросла их самостоятельность в проведении научных исследований.
В 1962 г. открыта специальность «Оптико-электронные приборы», в 1962 - подготовка на вечернем факультете.
В 1964 г. на кафедру приглашен Ю.И.Уханов (1921-1998), организовавший лабораторию оптических и магнитооптических исследований. Богатый материал по оптике полупроводников обобщен Юлием Ивановичем в академическом издании “Оптические свойства полупроводников”. Работал на кафедре до избрания в 1975 г. зав.кафедрой экспериментальной физики.
В течение 1969-1985 гг. студентам читал лекции и руководил исследованиями магнитных свойств полупроводников Георгий Анатольевич Смоленский (1910-1986), член-корр. АН СССР - автор фундаментальных исследований по физике сегнетоэлектриков и магнитных полупроводников.
С 1973 г. на кафедре начала работу И.П.Ипатова (1929-2003), сотрудник ФТИ им.А.Ф.Иоффе. С ее приходом начата регулярная подготовка физиков-теоретиков. Большой вклад внесла Ия Павловна в совершенствование учебного процесса. Она подготовила курс “Квантовая теория твердого тела”, ввела семинарские занятия по методикам теоретических расчетов и оценок, по ее инициативе заново разработана программа общенаучного курса “Экспериментальной физики”, создано 3-х томное учебное пособие по курсу.
В 1983 г. организован филиал кафедры в НИИ”Электрон” под руководством действ. члена Академии инженерных наук РФ, д.т.н., проф. лауреата Гос.премии СССР Рудольфа Михайловича Степанова. В филиале была организована подготовка инженеров со специализацией по микрофотоэлектронике. В 1984-90 годах кафедрой заведует проф. В.И.Кайданов. Им организованы фундаментальные исследования в области дефектов и примесей в кристаллах А4В6: открыты класс квазилокальных примесных состояний и связанная с ними сверхпроводимость полупроводников (совместно с Черником И.А. и Лыковым С.Н.), исследования по туннельной спектроскопии, сканирующей туннельной микроскопии, исследования энергетического спектра высотемпературных керамических сверхпроводников.
Для работы привлечен проф. А.Я.Шик, возглавивший филиал кафедры в ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН. В эти годы идет широкое признание высокой квалификации преподавателей и научных сотрудников кафедры. За изучение квазилокальных примесей С.А.Немов получает премию Ленинского комсомола, Гос.премией СССР отмечены исследования Воробьева Леонида Евгеньевича по оптике горячих электронов, 5 преподавателей получили ученые степени докторов физ.мат. наук.
Виктор Израилевич Кайданов работал на кафедре с 1957 по 1993 г. (до отъезда в США) и создал свою научную школу, технический университет отметил его заслуги присвоением звания почетного профессора. В лаборатории В.И.Кайданова подготовлено свыше 20 кандидатов и два доктора наук. Ученики и коллеги Виктора Израилевича сохраняют с ним творческие контакты и продолжают исследования.
В 1995 г. за вклад в разработку нового класса материалов на основе халькогенидов свинца проф. Немову Сергею Александровичу присуждена (наряду с учеными из МГУ и СО РАН) Гос.премия РФ.
Явление самокомпенсации В.И.Кайданов и его коллеги изучали совместно с теоретиком, действ. членом Международной термоэлектрической академии Ю.И.Равичем, работавшем в ФТИ им. А.Ф.Иоффе. С 1995 г. Юрий Исакович работал на кафедре в качестве профессора.
Исследования по туннельной спектроскопии и сканирующей туннельной микроскопии продолжает группа проф. С.А.Рыкова.
Проф. А.Н.Вейс проводит исследования полупроводников оптическими методами.
Исследования ВТСП продолжает группа проф. В.Э. Гасумянца.
С 1990 года кафедрой руководил проф. В.И. Ильин. В конце 80-х - начале 90-х годов в работе кафедры произошли значительные изменения.
Во-первых, проявились общие тенденции: практически исчезли НИР по договорам с ведущими научными центрами, существенно сократившееся финансирование стало распределяться через систему конкурсов, программ, грантов и, наконец, расширились возможности международного научного сотрудничества.
Во-вторых, произошли естественные для развивающейся кафедры изменения тематики научных исследований и, соответственно, тематики научной практики студентов. Самое значительное изменение было зафиксировано в изменении названия кафедры. По решению Ученого совета СПбГТУ кафедра физики полупроводников в 1995 г. переименована в кафедру физики полупроводников и наноэлектроники.
В-третьих, изменился состав участников научных исследований, как персональный, так и должностной. В связи с уменьшением приема на 1-й курс с 25 до 12 чел. в академическую группу уменьшилось число студентов в лабораториях кафедры. Практически исчез штат научных сотрудников, работающих по хоздоговорной тематике. Основная доля научных исследований стала выполняться преподавателями и учебно-вспомогательным персоналом, конечно, с участием студентов и аспирантов.
Кафедра взяла на себя чтение на РФФ курса лекций «Квантовая механика» (проф. С.Н.Лыков) и ведение занятий по курсу.
Под руководством проф. И.П.Ипатовой и А.Я.Шика был создан цикл дисциплин по низкоразмерным системам, а под руководством проф. Л.Е. Воробьева - подготовка в области оптики наноструктур.
Кафедра тесно сотрудничает с учеными ФТИ им. А.Ф.Иоффе, ИФМ РАН и других научных центров России и зарубежья. В частности, это сотрудничество привело к созданию ряда учебных пособий - монографий. Издательством «Наука. СПб.» выпущена серия «Новые разделы физики полупроводников» - учебные пособия для вузов. С 1997 г. кафедра (совместно с ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, СПбГУ и СПбГЭТУ) ежегодно проводит Всероссийские молодежные конференции по физике полупроводников и полупроводниковой нано- и оптоэлектронике.
Постоянным председателем Оргкомитетов конференций является профессор кафедры Воробьев Леонид Евгеньевич, д.ф.-м.н., Лауреат Государственной премии СССР, заслуженный деятель науки РФ, действительный член Академии естественных наук РФ, Российской академии инженерных наук им. А.М.Прохорова, Европейской академии наук и искусств.
За прошедшие годы на кафедре получены широко известные научные результаты, такие как: проводимость по квазилокальным состояниям индия в солях свинца, модуляция света в гетероструктурах с квантовыми ямами, лазеры на горячих носителях, фоточувствительные неидеальные гетероструктуры, диагностика полупроводников на основе СТМ и локальной туннельной спектроскопии.
Научные исследования кафедры проводятся в рамках Федеральных целевых программ, проектов, поддерживаемых Минобрнауки РФ, РФФИ и другими фондами.
