Предварительная научная программа

            Форма проведения конференции – пленарные заседания. Запланировано 2 пленарных приглашенных устных доклада ведущих ученых (в первый и последний дни конференции), 50 пленарных устных докладов и 70 стендовых докладов.

 

Молодые ученые и приглашенные докладчики, подтвердившие свое намерение участвовать в конференции

 

            Приглашенные доклады:

 

            1. Семина Марина Александровна. Ридберговские экситоны в закиси меди.

            2. Соколовский Григорий Семенович. Квантово-каскадные лазеры инфракрасного и терагерцового диапазонов.

 

            Доклады молодых ученых:

 

            1. Авдиенко Павел Сергеевич. Молекулярно-пучковая эпитаксия и структурные свойства 2D GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112).

            2. Голинская Анастасия Дмитриевна. Особенности нелинейного поглощения нульмерных и квазидвумерных полупроводниковых наноструктур на основе селенида кадмия при резонансном одно- и двухфотонном возбуждении экситонных переходов короткими лазерными импульсами.

            3. Котляр Константин Павлович. Особенности формирования кристаллических фаз InGaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии.

            4. Крюков Руслан Николаевич. Разбавленные магнитные полупроводники на основе А3В5.

            5. Кузнецов Юрий Михайлович. Термоэлектрические и термомагнитные эффекты в наноразмерных полупроводниках и металлах.

            6. Михин Алексей Олегович. Фотоотражение двумерных и экстремально двумерных полупроводниковых структур.

            7. Акмаев Марк Александрович. Свойства диполярной электронно-дырочной жидкости в гетероструктурах Si/SiGe/Si II рода.

            8. Петров Александр Сергеевич. Токовая неустойчивость краевой плазмонной моды в двумерном электронном газе.

            9. Смирнова Ольга Олеговна. Механизмы формирования линейной и циркулярной поляризации фотолюминесценции экситонного ансамбля.

            10. Павлов Николай Владимирович. Оже-рекомбинация в напряженных сверхрешетках InAs/GaSb.

            11. Рожков Станислав Александрович. Моделирование движения и рассеяния фотоэлектронов в приповерхностной области p-GaN(Cs,O) фотокатода.

            12. Елистратова Марина Анатольевна. Самоорганизация и фотолюминесценция порфириновых пленок на пористом кремнии.

            13. Лобанова Евгения Юрьевна. Интеркаляционный синтез силицида кобальта под графеном, выращенным на карбиде кремния.

            14. Терехова Юлия Сергеевна. Исследование сегнетоэлектрических нанокомпозитов на основе P(VDF-TrFE) методами сканирующей зондовой микроскопии.

            15. Ведь Михаил Владиславович. Диодные структуры на основе полупроводников A3B5, содержащих слои, легированные Fe.

            16. Самарцев Илья Владимирович. Исследование свойств фотоприемников с метаморфными буферными слоями, выращенными на подложке GaAs.

            17. Иванов Михаил Сергеевич. Лавинная инжекция и шнурование тока в диодных обострителях импульсов.

            18. Шугуров Константин Юрьевич. Исследование режимов пассивации GaN ННК/Si интерфейса

            19. Доможирова Александра Николаевна. Электронные свойства монокристаллов MoxW1-xTe2 (X = 0; 0.5; 1).

            20. Гладилин Андрей Александрович. Оптические свойства полупроводников типа A2B6, легированных переходными металлами.

            21. Милахин Денис Сергеевич. Образование нанокристаллов GaN на поверхностях g-Si3N3 и g-AlN.

            22. Бабич Екатерина Сергеевна. Оптические свойства бирезонансных наноструктур.

            23. Любомиров Алексей Дмитриевич. Спиновая динамика носителей в монослоях дихалькогенидов переходных металлов и гетероструктурах на их основе.

            24. Уточкин Владимир Васильевич. Гетероструктуры с квантовыми ямами на основе HgCdTe для длинноволновых лазеров.

            25. Куликов Никита Сергеевич. Конкуренция излучательной и оже-рекомбинации в узкозонных гетроструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe.

            26. Батаев Матвей Николаевич. Оптические свойства наноструктур на основе широкозонных полупроводников.

            27. Рыженкова Серафима Юрьевна. Разработка логического элемента на основе системы неупорядоченных примесных атомов.

            28. Левина Светлана Андреевна. Фото- и электролюминесцентные исследования солнечных элементов.

            29. Романова Анастасия Юрьевна. Исследование магнетополевых зависимостей спектрального положения линий излучения одиночных InP/GaInP квантовых точек.

            30. Ю.Блеян. Расчет энергии и энергии связи кватернионных состояний в сильно вытянутой эллипсоидальной квантовой точке.

            31. Семакова Антонина Александровна. Рекомбинационные процессы в светодиодных гетероструктурах на основе InAsSb.

            32. Казанцев Дмитрий Михайлович. Оптимизация температурно-временного профиля термического выглаживания поверхности полупроводников.

            33. Хорошилов Владимир Сергеевич. Релаксационные процессы на поверхностях Cs/GaAs и GaAs(Cs,O).

            34. Клепикова Анна Сергеевна. Особенности движения зарядовой и вихревой подсистем между проводящими плоскостями в двумерных сверхпроводниках.

            35. Боголюбский Андрей Сергеевич. Диэлектрические свойства нанокомпозитов на основе опаловых матриц.

            36. Олейник Владимир Леонидович. Анализ температурных зависимостей вольт-фарадных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlInGaP.

            37. Э. Акопян. Нелинейные оптические свойства цилиндрической квантовой точки с ограничивающим потенциалом Кратцера при наличии электрического и магнитного полей.

            38. Белов Павел Алексеевич. Спектр энергий экситонов в полупроводниковых квантовых ямах.

            39. Власов Лев Константинович. Влияние водорода на вольт-фарадные характеристики структур Pd/oxide/InP.

            40. Рыков Артём  Владимирович. Светоизлучающие диоды с инжектором CoPt на подложке Ge/Si.

            41. Буряк Полина Андреевна. Ближнепольная спектроскопия микродисковых резонаторов с InP/GaInP квантовыми точками увеличенного размера и малой плотности.

            42. Семакова Антонина Александровна. Рекомбинационные процессы в светодиодных гетероструктурах на основе InAsSb.

            43. Казанцев Дмитрий Михайлович. Оптимизация температурно-временного профиля термического выглаживания поверхности полупроводников.

            44. Янибеков Искандер. Исследование полупроводниковых InGaAs/GaAs квантовых ям методом фотонного эха.

            45. Евдокимов Артём Евгеньевич. Динамика электронной и ядерной спиновых систем в полупроводниковых структурах GaAs легированных Mn.

            46. Иванова Яна Владимировна. Исследование резонансного туннелирования в гетероструктуре с одиночной КЯ.

            47. Махов Иван Сергеевич. Электролюминесценция среднего инфракрасного диапазона твердых растворов InAs1-xSbx в сильных электрических полях.

            48. Конюх Дмитрий Александрович. Применение теории случайных матриц для описания бозонного пика.

            49. Никольская Алена Андреевна. Исследование условий образования и свойств гексагональной фазы кремния.

            50. Морозов Константин Михайлович. Исследование резонансных свойств структур с таммовским плазмоном  с использваония комплексного субволнового структурирования металлического слоя.

            51. Барсуков Юрий Владимирович. Механизм высокоселективного травления нитрида кремния плазмой ВЧ разряда смеси SF6/H2/He.

            52. Якушова Надежда Дмитриевна. Полупроводниковые фотокатализаторы на основе гетеропереходов ZnO/CuO.

            53. Губерна Евгений Александрович. Синтез CVD-графена, измерение его электрофизических свойств. Транзистор на графене.

            54. Борознина Наталья Павловна. Сенсорные свойства бороуглеродных наносистем в отношении металлов.

            55. Писаренко Иван Вадимович. Численное моделирование быстродействующих оптоэлектронных приборов для оптических межсоединений в интегральных схемах.

            56. Садовников Александр Владимирович. Управление лазерным излучением свойствами спиновых волн в структурах YIG/GaAs.

            57. Калашников Андрей Васильевич. Квантовохимическое исследование адсорбции иона лития в многослойных 2D структурах на основе карбида кремния и графена.

            58. Борознин Сергей Владимирович. Сравнительный анализ электронных свойств бороуглеродных нанотрубок.

            59. Тукмакова Анастасия Сергеевна. Моделирование искрового плазменного спекания термоэлектрических материалов.

            60. Гангрская Елизавета Славиковна. Самоорганизованные наночастицы в микроканальных структурах для сенсорики.

            61. Ерёменко Михаил Михайлович. Влияние содержания Al на процессы капельной эпитаксии наноструктур In(As)/AlGaAs.

            62. Макарова Елена Сергеевна. Исследование зависимости свойств тонких пленок висмута и сурьмы от толщины и структуры.

            63. Гудкина Жанна Вадимовна. Поведение микротрещин в низкоразмерных пористых средах с периодической структурой.

            64. Мищенко Евгений Сергеевич. Взаимосвязь полупроводниковых и радиоэкранирующих свойств полианилина.

            65. Шамрай Игорь Игоревич. Электромагнитные свойства полупроводниковых нанокомпозитов Fe3O4-углеродное микроволокно.

            66. Мостовая Екатерина Игоревна. Световые капли в среде фотонных кристаллов с углеродными нанотрубками.

            67. Галкина Елена Николаевна. Поведение предельно-коротких оптических импульсов в массиве углеродных нанотрубок в экстремальных условиях

            68. Тарасов Андрей Петрович. Люминесцентные и лазерные характеристики стержней и тетраподов ZnO в различных условиях.

            69. Шандыба Никита Андреевич. Формирование наноразмерных структур для наноэлектроники с использованием метода фокусированных ионных пучков.

            70. Грибакин Борис Петрович. Свойства системы ядерных спинов в полупроводниках при сверхнизких температурах.

            71. Черненко Наталия Евгеньевна. Влияние особенностей морфологии структурированной поверхности на процессы нуклеации наноструктур In/GaAs при капельной эпитаксии.

            72. Лашкова Наталья Алексеевна. Атомно-силовая микроскопия фоточувствительных слоёв на основе халькогенидов свинца.

            73. Смирнов Артем Николаевич. Исследование особенностей работы сверхбыстродействующего карбид-кремниевого коммутатора тока в схемах источников мягкого рентгеновского излучения.

            74. Корепанов Олег Алексеевич. Исследование спектров фотолюминесценции нанокристаллов AgInS2/ZnS.

            75. Русецкий Вадим Сергеевич. Оптический метод регистрации спина свободных электронов с пространственным разрешением в гетероструктурах А3В5.

            76. Шепелев Артем Сергеевич. Исследование свойств глубоких уровней в кремнии методом переходного тока.

            77. Жихарев Павел Владимирович. Формирование нанокластеров GaSb на подложке Si(111) (Монте-Карло моделирование).

            78. Налимова Светлана Сергеевна. Исследование металлооксидных газочувствительных слоев, сенсибилизированных коллоидными нанокристаллами.

            79. Редькин Руслан Александрович. Разработка нелинейно-оптических элементов на основе селенида галлия с просветляющим покрытием для генерации терагерцового излучения методом оптического выпрямления фемтосекундных лазерных импульсов.

            80. Школдин Виталий Алексеевич. Усиление оптической эмиссии из туннельного контакта с помощью наноантенн.

            81. Рябко Андрей Андреевич. Газочувствительные структуры на основе модифицированных наноструктурированных покрытий оксида цинка.

            82. Смердов  Ростислав  Сергеевич. Функционализированный пористый кремний для систем преобразования энергии на основе явления фотонно-усиленной термоэлектронной эмиссии.

            83. Плешанов Илья Михайлович. Разработка конструкции чувствительного элемента для волоконно-оптического датчика искры.

            84. Кулаков Денис Александрович. Рассеивание и динамика краевых состояний и волновых пакетов на поверхности топологических изоляторов с учетом нелинейности спектра в присутствии барьеров.

            85. Королёва Маргарита Олеговна. Порфирин на пористом кремнии.

            86. Левкевич Екатерина Андреевна. Оптические свойства структур станната цинка.

            87. Шеримов Данияр. Датчик вращения вала для применений в оптоэлектронике.

            88. Фролов Алексей Владимирович. Особенности скольжения волны зарядовой плотности в соединениях RTe3.

            89. М. Мкртчян. Межзонные оптические переходы в цилиндрической квантовой точке во внешнем электрическом поле.

            90. Будянский Павел Сергеевич. Особенности спектров двойной фотоионизации двухэлектронных примесных центров в квазинульмерных структурах.

            91. КревчикПавелВладимирович. Macroscopic effects of dissipative tunneling in semiconductive InAs/GaAs quantum dots.

            92. Артеев Дмитрий Сергеевич. Моделирование полупроводниковых устройств на основе III-N.

            93. Федоров Илья Витальевич. InAs/GaSb материалы, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксией для ИК-оптоэлектроники.

            94. Иванов Дмитрий Николаевич. Кремниевый пиксель на основе инжекционно-емкостной связи как многофункциональный элемент микроэлектронных датчиков.

            95. Г. Оганян. Расчет примесных состояний в эллипсоидальных квантовых точках.

            96. Кубасов Илья Викторович. Измерение электрофизических свойств кристаллов ниобата лития с сильно заряженной междоменной границей.

            97. Турутин Андрей Владимирович. Изучение методов уменьшения эквивалентного электромагнитного шума в магнитоэлектрических материалах на основе бидоменного ниобата лития.

            98. Темиров Александр Анатольевич. Синтез кремний-углеродных пленок методом плазменного напыления.

            99. Спирина Анна Александровна. Моделирование роста планарных нанопроволок методом Монте-Карло.

            100. Филимонов Евгений Дмитриевич. Спектральное исследование линз Френеля.

            101. Шубина Ксения Юрьевна. Эпитаксиальные структуры A3N/Si(111) для МЭМС.

            102. Можаров Алексей Михайлович. Отрицательная дифференциальная проводимость в GaN нитевидных нанокристаллах.

            103. Горохов Александр Николаевич. Особенности образования наноразмерного рельефа на поверхности полупроводников при облучении ионами в режиме термических пиков.

            104. Балахтарь Григор Размикович. Модуляция показателя преломления током электронов в квантовых ямах вблизи межподзонного резонанса.

            105. Кислюк Александр Михайлович. Модель образования бидоменной структуры в условиях неоднородного распределения температуры в пластине ниобата лития.

            106. Устименко Ратмир Владленович. Исследование межподзонного поглощения света в квантовых ямах GaN/AlN.

            107. Иркин Александр Игоревич. Влияние температуры отжига на полупроводниковые свойства наноразмерного NiFe2O4.

            108. Рябова Мария Юрьевна. Электромагнитные свойства полупроводниковых композитов наноферрит- полианилин.

            109. Киреева Галина Валерьевна. Влияние метода синтеза на полупроводниковые свойства наноразмерного NiFe2O4.

            110. Бублик Вадим Сергеевич. Полупроводниковые свойства нанопленок SnO2, полученных окислительным методом.

            111. Дубенков Евгений Алексеевич. Электромагнитные свойства полупроводниковых нанокомпозитов Fe-допированный ZnS.

            112. Лисовая Наталья Александровна. Электромагнитные свойства полупроводниковых нанокомпозитов Fe3O4-целлюлозное микроволокно.

            113. Татьяна Аурелия Уаман Светикова. Эволюция примесной фотопроводимости в твердых растворах CdHgTe при изменении температуры.

            114. Василий Сергеевич Дудин. Спектры примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe.

            115. Горбенко Илья Витальевич. Плазменный поляризационно-чувствительный детектор терагерцового излучения.

            116. Шарипова Маргарита Маратовна. Светоиндуцированные процессы в спектроскопии спиновых флуктуаций.

            117. Макарцев Илья Владимирович. Построение динамической модели pHEMT СВЧ транзистора.

            118. Граф Сергей Владимирович. Фотолюминесценция среднего инфракрасного диапазона твердых растворов InAs1-xSbx, выращенных на вицинальных подложках GaAs

            119. Драгунова Анна Сергеевна. Исследование оптических свойств наноразмерных структур на основе соединений А3В5.

            120. Логинов Леонид Александрович. Неравновесные 2D-плазмоны в гетеропереходе GaN/AlGaN.