Итоги конференции
На конференции были представлены более 20 вузов и научных центров. В сборнике на русском языке опубликованы 138 докладов, которые подготовили студенты, аспиранты и молодые ученые из 13 городов России (Санкт-Петербург, Москва, Нижний Новгород, Новосибирск, Екатеринбург, Владивосток, Воронеж, Краснодар, Нальчик, Пенза, Таганрог, Тверь, Ярославль), а также из Минска. Статьи по материалам докладов будут опубликованы также на английском языке в журнале "Journal of Physics: Conference Series"" (издательство IOP Publishing) , индексируемом в Scopus и Web of Science.
В программу были включены 2 приглашенных доклада ведущих российских ученых. С приглашенными докладами выступили:
доктор физ.-мат. наук, с.н.с. И.С. Бурмистров (Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау) «Топология в физике конденсированных сред»,
кандидат физ.-мат. наук , с.н.с. Н.В. Крыжановская (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Академический университет) «Микролазеры с модами шепчущей галереи».
На 9 пленарных заседаниях студентами и аспирантами было сделано 50 устных докладов. Состоялась стендовая сессия (77 докладов) по разделам: "Объемные свойства полупроводников", "Процессы роста, поверхность, границы раздела", "Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы", "Квантовые точки, квантовые нити и другие низкоразмерные системы", "Приборы опто- и наноэлектроники", "Новые материалы".
Программный комитет отметил дипломами и премиями следующие работы аспирантов и студентов.
Премией Е.Ф. Гросса за лучшую работу в области оптики полупроводников награждены:
|
Ройз Михаил Александрович, аспирант, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, за доклад «Полупроводниковые дисковые WGM-лазеры среднего ИК диапазона (λ~2,28 μm)» |
 |
|
Степанец-Хуссейн Эльдар, студент, Московский физико-технический институт, за доклад «Когерентная спиновая динамика двумерной электронной системы вблизи нечетных факторов заполнения» |
 |
Дипломом I степени и премией награждены:
|
Веселов Дмитрий Александрович, аспирант, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, за доклад «Внутренние оптические потери и токовые утечки в мощных лазерных диодах спектрального диапазона 1400-1600 нм» |
 |
|
Иванов Михаил Сергеевич, студент, Санкт-Петербургский Политехнический университет им. Петра Великого, за доклад «Пикосекундное пространственно-неоднородное переключение высоковольтных диодных структур» |
 |
Дипломом II степени и премией награждены:
Полубавкина Юлия Сергеевна , аспирантка, Академический университет, за доклад «Исследование волноводной рекомбинации в лазерах с ассиметричными барьерными слоями методом СБОМ»
Рахлин Максим Владимирович , аспирант, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, за доклад «Излучательные характеристики источников одиночных фотонов на основе квантовых точек CdTe/ZnTe»
Авдиенко Павел Сергеевич, студент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», за доклад «Определение параметров приповерхностной области арсенида галлия методом спектроскопии фотоотражения»
Хабаров Кирилл Михайлович , студент, Московский физико-технический институт, за доклад «Поляризационные особенности спектров плазмонных 2D структур, связанных принципом Бабине »
Дипломом III степени и премией награждены:
Салий Роман Александрович , аспирант, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, за доклад «InAs квантовые точки, выращенные методом МОСГФЭ в GaAs метаморфной InGaAs метрицах»
Селиванов Анатолий Викторович , аспирант, Санкт-Петербургский Политехнический университет им. Петра Великого, за доклад «Фотолюминесценция в квантовых ямах InGaAsSb/AlGaAsSb в условиях безызлучательной рекомбинации»
Литвяк Валентина Михайловна, студентка, Санкт-Петербургский Государственный университет, за доклад «Энергетическая структура квантовых точек PbS в стеклянных матрицах»
Орлов Евгений Юрьевич, студент, Санкт-Петербургский Политехнический университет им. Петра Великого, за доклад «Объемные плазмон-фонон-поляритон в n-GaN»
Дипломами награждены:
Артеев Дмитрий Сергеевич , аспирант, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, за доклад «Особенности люминесценции InGaN/GaN дихромных светодиодов»
Афанасьев Александр Николаевич , аспирант, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, за доклад «Теория ударной ионизации в прямозонных полупроводниках»
Еналдиев Владимир Викторович , аспирант, Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, за доклад «Резонансные усиления генерации второй гармоники краевыми состояниями в монослоях дихалькогенидов переходных металлов»
Илькив Игорь Владимирович , аспирант, Академический университет, за доклад «Синтез нитевидных GaAs нанокристаллов с использованием коллоидных наночастиц серебра»
Казанов Дмитрий Робертович , аспирант, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, за доклад «Замедление света резонансными фотонными кристаллами со сложной элементарной ячейкой»
Осинных Игорь Васильевич , аспирант, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова, за доклад «Природа интенсивной широкополосной люминесценции эпитаксиальных слоев AlGaN сильно легированных кремнием»
Суровегина Екатерина Александровна , аспирантка, Институт Физики Микроструктур, за доклад «Сравнительный анализ дельта-легированных слоёв в алмазе и арсениде галлия»
Фадеев Михаил Александрович , аспирант, Институт Физики Микроструктур, за доклад «Двухчастотная генерация стимулированного излучения на межзонных и примесно-зонных переходах в гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/HgTe»
Акмаев Марк Александрович , студент, Московский Государственный Университет, за доклад «Диполярная электронно-дырочная жидкость в SiGe/Si гетеросистеме»
Бабенко Яна Александровна , студентка, Санкт-Петербургский Государственный Университет, за доклад «Эффект фотонного эха для экситонов в наноструктурах»
Варламов Артем Сергеевич , студент, Санкт-Петербургский Государственный университет, за доклад «Локальные электронные уровни и дислокационная люминесценция в кремнии»
Гоманько Максим Алексеевич , студент, Московский Государственный Университет, за доклад «Транспортные свойства и фотоэлектромагнитный эффект в топологических изоляторах на основе (Bi1-xinx)2Se3 и (Bi1-yiny)2Te»
Даньшин Сергей Александрович , студент, Санкт-Петербургский Государственный Университет, за доклад «Экситоны в низкодобротных микрорезонаторах с квантовыми ямами»
Лобанова Евгения Юрьевна , студентка, Санкт-Петербургский Политехнический университет, за доклад «Электронная структура и магнитные свойства низкоразмерной системы графен-железо-никель»
Мурашов Виктор Викторович , студент, Новосибирский Государственный Технический Университет, за доклад «Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова»
Пашнев Даниил Александрович , студент, Санкт-Петербургский Политехнический университет, за доклад «Особенности заполнения состояний ансамбля квантовых точек Ge/Si c неоднородным уширением»
Ченцов Семен Игоревич , студент, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», за доклад «Исследование одиночных дефектов в квантовых ямах ZnSe/ZnMgSSe методом микрофотолюминесценции»
Шаров Владислав Андреевич , студент, Санкт-Петербургский Академический университет РАН, за доклад «Исследование поглощения лазерного излучения АСМ зондом»
Ссылки на фотографии с 18ой конференции:Фотограф Баронов Олег (Google-диск, первая часть)
Наши фотографии (Яндекс-диск, zip-архив 1,2 Гб)
Фотограф Баронов Олег (Яндекс-диск, zip-архив 0,3 Гб)
